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J-GLOBAL ID：201902277496184780   整理番号：19A1895567

田口の直交配列実験によるFTO/ZnOの光エネルギー吸収に及ぼす堆積条件の影響の解明【JST・京大機械翻訳】

Elucidating the influence of deposition condition on light energy absorbance of FTO/ZnO via Taguchi’s orthogonal arrays experiment

著者 (6件)： Nooraizedfiza Z. (School of Manufacturing Engineering, Universiti Malaysia Perlis, KampusTetapPauh Putra, 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Marina M. (School of Manufacturing Engineering, Universiti Malaysia Perlis, KampusTetapPauh Putra, 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Zain M. Z. M. (School of Manufacturing Engineering, Universiti Malaysia Perlis, KampusTetapPauh Putra, 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Haziq T. I. (School of Manufacturing Engineering, Universiti Malaysia Perlis, KampusTetapPauh Putra, 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Khasanah R. N. A. (School of Manufacturing Engineering, Universiti Malaysia Perlis, KampusTetapPauh Putra, 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Hazira Z. (School of Manufacturing Engineering, Universiti Malaysia Perlis, KampusTetapPauh Putra, 02600 Arau, Perlis, Malaysia)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2129  号： 1  ページ： 020058-020058-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電着法によるフッ素ドープ酸化スズ(FTO)基板上の電着(EDP)酸化亜鉛(ZnO)薄膜の吸光度の増加に対する最適化の応用を調べた。種々のEDPパラメータ設定に関する最適化には,ポテンシャル,電解質濃度,および温度を,3つの因子および3つのレベルのパラメータを用いて,Taguchiの直交配列(OA_9)実験を用いて実施した。吸光度とZnO分散機構を評価した。ANOVAの結果は,電着パラメータの最良の組み合わせが,電位,電解質濃度,および温度に対して,それぞれ-1.2V,0.1M,および65°Cであることを示唆した。結果に基づいて,電着温度は吸光度に寄与する最も重要なパラメータを示した。この知見は,Taguchiの直交配列実験の適用が光エネルギー吸収に及ぼす各パラメータの寄与を認証し,FTO基板上の電着ZnO薄膜に対して10.71%の改善で最高の吸光度を提供することを示した。3.35eVから3.44eVまでのバンドギャップエネルギー範囲はZnO特性を証明した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  電着 ,  電解質 ,  分散分析 ,  吸光度 ,  *直交配列 ,  電位 ,  最適化 ,  *エネルギー吸収 ,  薄膜
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  ZnOフィルム ,  FTO【酸化物】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 機械的性質  (YH02022L) ,  機械加工,仕上げ一般  (YH04111G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 直交配列 ,  実験 ,  FTO ,  ZnO ,  光エネルギー ,  堆積