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J-GLOBAL ID：201902277735152502   整理番号：19A1415917

GaN/AlN超格子における変形状態の光学的および構造的研究【JST・京大機械翻訳】

Optical and structural study of deformation states in the GaN/AlN superlattices

著者 (13件)： Kolomys Oleksandr (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03680 Kiev, Ukraine) ,  Tsykaniuk Bogdan (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03680 Kiev, Ukraine) ,  Strelchuk Viktor (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03680 Kiev, Ukraine) ,  Naumov Andrey (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03680 Kiev, Ukraine) ,  Kladko Vasyl (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03680 Kiev, Ukraine) ,  Mazur Yuriy I. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Ware Morgan E. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Li Shibin (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Kuchuk Andrian (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Maidaniuk Yurii (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Benamara Mourad (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Belyaev Alexander (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03680 Kiev, Ukraine) ,  Salamo Gregory J. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 15  ページ： 155302-155302-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子線エピタクシーにより堆積した5,10,20周期GaN/AlN超格子(SL)の光学的及び構造的性質に及ぼす歪の影響を報告した。SLにおける変形状態を,高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM),X線回折,および顕微Raman,Fourier変換赤外(FTIR),および光ルミネセンス分光法によって研究した。HRTEM画像は,SL層の構造品質が著しく改善され,界面がSL周期の増加とともに原子レベルで非常に鋭くなることを示した。XRD,Raman,およびFTIR反射分光法による複合解析は,SL周期の数の増加とともに,GaN量子井戸(QW)中の歪が増加し,AlN障壁が緩和されることを見出した。層の変形に及ぼすE_2~高およびE_1~TO RamanおよびIRモードの周波数シフトの依存性に基づいて,GaNおよびAlNの両方におけるこれらのモードのフォノン変形ポテンシャルと同様に二軸応力係数の値を決定した。SL周期数の増加とともに,QW発光は量子閉込めStark効果によりGaNバンドギャップよりも低い範囲でかなり赤方偏移した。異なる数の周期を持つGaN/AlN SLの構造パラメータとQW発光に及ぼすXRD,Raman,およびFTIRスペクトルによって得られた歪の影響を議論する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 周波数シフト ,  界面 ,  発光 ,  品質 ,  *超格子 ,  プラズマ ,  光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  バンドギャップ ,  FTIR分光法 ,  フォノン ,  X線回折 ,  赤方偏移 ,  赤外線

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  AlN ,  超格子 ,  光学 ,  研究