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J-GLOBAL ID：201902277789526678   整理番号：19A1374656

2.5MeV電子線または高速中性子線線照射したα-石英における非晶質性点欠陥の形成

著者 (4件)： SKUJA Linards (Latvia大) ,  OLLIER Nadege (Paris-Saclay大) ,  梶原浩一 (首都大) ,  SMITS Krisjanis (Latvia大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-W833-9  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 緒言 代表的な結晶性シリカであるα-石英は、中性子線、電子線、イオンビームなどの粒子線照射によって非晶質化する[1,2]。この過程はしばしば点欠陥の形成を伴うが、結晶性シリカ中では観察されず、非晶質化領域にのみ形成される点欠陥に着目すること...【本文一部表示】

シソーラス用語： *電子照射 ,  *中性子照射 ,  *石英ガラス ,  アモルファス化 ,  *点欠陥 ,  スペクトル ,  格子間原子
準シソーラス用語： *電子線照射 ,  非晶質化 ,  光ルミネセンススペクトル

分類 (2件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子線 ,  速中性子線 ,  石英 ,  非晶質 ,  点欠陥