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J-GLOBAL ID：201902277829430695   整理番号：19A1415368

シリセンにおける光誘起量子スピン/バレーHall効果とその電気的操作【JST・京大機械翻訳】

Photoinduced quantum spin/valley Hall effect and its electrical manipulation in silicene

著者 (6件)： Bao Hairui (College of Physics, Mechanical and Electrical Engineering, Jishou University, Jishou 416000, China) ,  Liao Wenhu (College of Physics, Mechanical and Electrical Engineering, Jishou University, Jishou 416000, China) ,  Zhang Xincheng (College of Physics, Mechanical and Electrical Engineering, Jishou University, Jishou 416000, China) ,  Yang Hong (College of Physics, Mechanical and Electrical Engineering, Jishou University, Jishou 416000, China) ,  Yang Xuexian (College of Physics, Mechanical and Electrical Engineering, Jishou University, Jishou 416000, China) ,  Zhao Heping (College of Physics, Mechanical and Electrical Engineering, Jishou University, Jishou 416000, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 20  ページ： 205106-205106-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Kubo線形応答定理に基づいて,高周波数極限における垂直電場と非共鳴円偏光の存在下におけるシリセンの量子スピン/谷Hall(QS/VH)伝導率と縦伝導率を理論的に調べた。シリセンの電子構造は,電場および/またはオフ共鳴光により,スピン縮退,(Floquet)トポロジー絶縁,価電子スピン分極金属,およびバンド絶縁状態に効果的に変調できることを実証した。オフ共鳴光により誘起された異なる有効エネルギーに対する系のスピンと谷Hall伝導率の両方は,(0,±1,±2)e~2/hの量子化値をもつ顕著な段階構造を示し,バックゲート電圧制御可能な千鳥格子ポテンシャルをもつ対称性である。ステップ状量子スピンと谷Hall伝導率は温度の上昇と共に平滑化されるべきである。この系の縦伝導率は,量子スピンおよび/または谷Hall伝導率におけるプラトーから別のジャンプ/降下に対応する顕著な共鳴構造を示し,得られた結果は,ケイ素系電子素子の新しい効果およびオプトエレクトロニクス応用の探求において重要であると信じられる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 平滑化 ,  ケイ素 ,  スピン分極 ,  位相幾何学 ,  価電子 ,  オプトエレクトロニクス ,  縮退 ,  *Hall効果 ,  電場 ,  電子構造 ,  円偏光 ,  対称性 ,  共鳴
準シソーラス用語： 伝導率 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリセン ,  光誘起 ,  量子スピン ,  Hall効果