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J-GLOBAL ID：201902277920320765   整理番号：19A1415808

スペクトル分解変調光熱赤外放射測定を用いた厚い高濃度ZnドープGaAsの赤外吸収係数測定について【JST・京大機械翻訳】

On the infrared absorption coefficient measurement of thick heavily Zn doped GaAs using spectrally resolved modulated photothermal infrared radiometry

著者 (4件)： Pawlak M. (Institute of Physics, Nicolaus Copernicus University, Grudziadzka 5, 87-100 Torun, Poland) ,  Pal S. (Chair of Applied Solid-State Physics, Experimental Physics VI, Ruhr-University Bochum, Universitaetsstrasse 150, 44780 Bochum, Germany) ,  Ludwig A. (Chair of Applied Solid-State Physics, Experimental Physics VI, Ruhr-University Bochum, Universitaetsstrasse 150, 44780 Bochum, Germany) ,  Wieck A. D. (Chair of Applied Solid-State Physics, Experimental Physics VI, Ruhr-University Bochum, Universitaetsstrasse 150, 44780 Bochum, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 13  ページ： 135109-135109-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,スペクトル分解変調光熱赤外放射測定(PTR)を用いて,ZnドープGaAsウエハの中赤外領域における赤外吸収係数の測定について報告した。この方法は,(i)透過配置におけるFourier変換赤外(FTIR)分光法で使用されるものと比較して,(i)非常に厚い試料の赤外吸収係数を測定することを可能にし,(ii)反射配置の測定に必要とされるような非鏡面様表面をもつ。理論モデルのPTR結果への最良適合から,GaAsウエハの赤外吸収係数と熱拡散率の値を得た。赤外吸収係数のこれらの値を,非常に薄い,同様にドープされたGaAsに関する文献値と,同じ試料に関するFTIR鏡面反射率測定から計算された赤外吸収係数と比較した。FTIR反射率測定は吸収係数と鏡面様表面の評価のための付加的仮定を必要とする。両実験法から得られた結果は,赤外吸収係数の同じ次数を与えた。赤外吸収係数は原子価間バンド遷移のために波長の増加とともに減少することを観測した。しかし,PTRを用いて推定した赤外スペクトルのみが,非常に薄いBeドープGaAs試料に関する以前の研究で観測されたように,短波長での自由キャリア吸収効果を示した。提示した方法は半導体に限られていないが,他の高赤外吸収試料に使用できる。さらに,スペクトル分解PTR測定は,推定不確実性の範囲内でGaAsウエハの熱拡散率の同じ値を同時に提供し,従って,そのような試料の熱拡散率の測定におけるPTR法の信頼性を実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤外スペクトル ,  半導体 ,  温度伝導率 ,  *亜鉛 ,  *ドーピング ,  *スペクトル分解 ,  *赤外線 ,  波長 ,  *ヒ化ガリウム ,  FTIR分光法 ,  *吸収係数 ,  ベリリウム ,  原子価 ,  Fourier変換
準シソーラス用語： *赤外吸収 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (9件)： スペクトル分解 ,  変調光 ,  赤外放射 ,  高濃度 ,  Zn ,  ドープ ,  GaAs ,  赤外 ,  吸収係数