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J-GLOBAL ID：201902278461562328   整理番号：19A0037058

ガス検知応用のためのAlGaN/GaN HEMTマイクロセンサ技術【JST・京大機械翻訳】

AlGaN/GaN HEMT micro-sensor technology for gas sensing applications

著者 (6件)： Sokolovskij Robert (Department of Microelectronics, Delft University of Technology, CD Delft, 2628, the Netherlands) ,  Zhang Jian (State Key Laboratory of ASIC and System, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Jiang Yang (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Chen Ganhui (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Zhang Guo Qi (Department of Microelectronics, Delft University of Technology, CD Delft, 2628, the Netherlands) ,  Yu Hongyu (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICSICT  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ窒化ガリウム材料は次世代パワーと高周波電子デバイスのために非常に好ましい電子特性を有している。より広く研究されていない応用は,過酷な環境条件で操作できる高度に小型化された化学的およびガスセンサである。本研究では,種々のガスの検出のためのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)に基づくセンサの設計,製作および試験に関する最近の開発を紹介する。最初に,作製した素子ベースライン値安定化の方法を実証した。第二に,センサ設計の影響を,センシング性能を強化するためのゲート電極形状最適化に重点を置いて検討した。次に,H_2Sに対するPt-HEMTのセンシング特性を提示し,それらをH_2およびNO_2と比較した。最後に,Ti/AuベースのHEMTセンサによるNO_2検出の最近の結果を実証した。これは,Ptベースのデバイスを用いたものより優れている。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *センサ ,  形状最適化 ,  基準線 ,  小型化 ,  窒化ガリウム ,  ガスセンサ ,  HF【周波数】 ,  *HEMT ,  環境条件 ,  電子素子 ,  ワイドバンドギャップ ,  *マイクロセンサ ,  ガス検知 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  改変
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ガス検知 ,  応用 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  マイクロセンサ