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J-GLOBAL ID：201902278557691445   整理番号：19A1415245

Si上のリセスゲートGaN HEMT用の低温(100°C)原子層堆積ZrO_2【JST・京大機械翻訳】

Low temperature (100 °C) atomic layer deposited-ZrO₂ for recessed gate GaN HEMTs on Si

著者 (9件)： Byun Young-Chul (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Lee Jae-Gil (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Meng Xin (Department of Electrical Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Lee Joy S. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Lucero Antonio T. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Kim Si Joon (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Young Chadwin D. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Kim Moon J. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Kim Jiyoung (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 8  ページ： 082905-082905-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,低温(100°C)で蒸着した原子層堆積ZrO_2ゲート誘電体のAl_0.25Ga_0.75N/GaN/Si上の再結晶ゲート高Electron移動度トランジスタ(HEMT)の特性に及ぼす影響を調べ,典型的原子層蒸着(ALD)プロセス温度(250°C)で蒸着したZrO_2膜の特性と比較した。100°Cで成長させた約5nmのALD-ZrO_2膜を有する凹型ゲートHEMTにおいて,無視できるヒステリシス(ΔV_th<20mV),低いゲート漏れ電流(I_g@2V=6.6×10~6A/cm2),高い破壊電圧(>4V),および低い界面状態密度(D_it=3.69×10~11eV~1cm-2)が観察された。凹型ゲートHEMTの優れた特性は,界面層の不在と膜の非晶質相のためである。250°c-ZrO_2とGaN間の界面層を高分解能透過型電子顕微鏡とX線光電子分光法により観察した。しかし,100°c-ZrO_2とGaNは顕著な界面層形成を示さなかった。さらに,100°c-ZrO_2膜は基板(GaNとSi)上に非晶質相を維持したが,250°c-ZrO_2膜はGaN上に堆積したとき多結晶相を示し,Si上に堆積したとき非晶質相を示した。一般的な信念とは対照的に,ZrO_2に対する低温ALDプロセスは優れたHEMT性能をもたらす。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線光電子スペクトル ,  基板 ,  再結晶 ,  *低温 ,  *ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  移動度 ,  *窒化ガリウム ,  ゲート絶縁膜 ,  ヒステリシス ,  *HEMT ,  トランジスタ ,  凹形
準シソーラス用語： 界面層 ,  絶縁破壊電圧 ,  ゲート漏れ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  GaN ,  HEMT ,  低温 ,  原子層堆積