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J-GLOBAL ID：201902279020831405   整理番号：19A0645580

β-Ga_2O_3/p型4H-SiCヘテロ接合ダイオードと深紫外フォトダイオードへの応用【JST・京大機械翻訳】

β-Ga₂O₃/p-Type 4H-SiC Heterojunction Diodes and Applications to Deep-UV Photodiodes

著者 (4件)： Nakagomi Shinji (Faculty of Science and Engineering, Department of Information Technology and Electronics, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Miyagi 986-8580, Japan) ,  Sakai Toshihide (Faculty of Science and Engineering, Department of Information Technology and Electronics, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Miyagi 986-8580, Japan) ,  Kikuchi Kentaro (Faculty of Science and Engineering, Department of Information Technology and Electronics, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Miyagi 986-8580, Japan) ,  Kokubun Yoshihiro (Faculty of Science and Engineering, Department of Information Technology and Electronics, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Miyagi 986-8580, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 5  ページ： e1700796  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,β-Ga_2O_3/p型4H-SiC構造に基づくpnヘテロ接合ダイオードを作製した。ダイオードの電流-電圧特性を23~500°Cの温度範囲で測定した。これらのダイオードは高温下で良好な整流特性と安定性を示した。整流比は500°Cでも1000を超えた。種々のβ-Ga_2O_3厚さを有するヘテロ接合に基づいて深紫外(深紫外)フォトダイオードを作製し,250~260nmで最大応答性を示し,実時間で約30μsの短いUVパルスに応答した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  *ヘテロ接合 ,  電流電圧特性 ,  応答特性 ,  整流 ,  パルス ,  高温 ,  *フォトダイオード ,  *炭化ケイ素 ,  温度範囲 ,  *深紫外線
準シソーラス用語： 実時間 ,  整流比 ,  4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： β-Ga2O3 ,  4H-SiC ,  深紫外 ,  高温 ,  フォトダイオード

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  深紫外 ,  フォトダイオード ,  応用