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J-GLOBAL ID：201902279126314854   整理番号：19A0513088

異なるSchottky障壁を持つ埋め込みナノスケール非対称MSM格子から成る不偏無アンテナTHzエミッタのアレイ【JST・京大機械翻訳】

Array of Unbiased Antennaless THz Emitters Composed of Buried Nanoscale Asymmetric MSM Gratings With Dissimilar Schottky Barriers

著者 (3件)： Mohammad-Zamani Mohammad Javad (School of Electrical and Computer Engineering, Advanced Devices Simulation Lab, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran) ,  Moravvej-Farshi Mohammad Kazem (School of Electrical and Computer Engineering, Advanced Devices Simulation Lab, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran) ,  Neshat Mohammad (School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 4  ページ： ROMBUNNO.8500808.1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるSchottky障壁をもつサブ波長埋め込み金属-半導体-金属(MSM)格子からなる非バイアス無アンテナ連続波(CW)THz光混合器のアレイを提案した。各単位胞中のこれらの異種金属は密接に接触しているが,半導体材料中に現れる最大電場は,平面構造とは異なり,その破壊閾値よりはるかに低い。これは,平面格子をもつ類似のTHzエミッタの設計において通常直面する破壊制約を緩和する。さらに,サブ波長で平面MSM格子をもつ類似アレイと比較して,埋込みMSMの使用はキャリアの光発生が起こる体積を増加させ,結果としてのCW THz放射を一桁増強した。これは,回折限界平面電極と同じサイズの類似アレイにより放射されるTHzパワーよりも5桁大きい。さらに,THz出力パワーの周波数依存性を計算して,新しく提案したプラズモン支援エミッタは0.1~3THzの広い範囲で同調可能であることを示した。また,1.58mWの光ポンプの4.5%が0.5THzの放射周波数でTHzパワーに効率的に変換できることを数値的に実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *非対称性 ,  同調 ,  半導体 ,  サブ波長 ,  バイアス ,  電場 ,  周波数依存性 ,  プラズモン ,  連続波 ,  *アンテナ ,  半導体材料
準シソーラス用語： 回折限界 ,  単位格子 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光源  (BD07020D) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (9件)： Schottky障壁 ,  埋め込み ,  ナノスケール ,  非対称 ,  MSM ,  格子 ,  アンテナ ,  エミッタ ,  アレイ