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J-GLOBAL ID：201902279192399318   整理番号：19A1200519

AMM_IVQ_6ファミリーへの良性付加,SnGa_2GeSe_6 合成,結晶構造および非線形光学性能【JST・京大機械翻訳】

SnGa₂GeSe₆, a benign addition to the AMM^IVQ₆ family: synthesis, crystal structure and nonlinear optical performance

著者 (6件)： Li Zhuang (Beijing Center for Crystal Research and Development, Key Lab of Functional Crystals and Laser Technology, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, P. R. China. [e-mail]) ,  Zhang Shengzi ,  Guo Yangwu ,  Lin Zheshuai ,  Yao Jiyong ,  Wu Yicheng
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 48  号： 19  ページ： 6638-6644  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AMM~IVQ_6ファミリーにおける新しいセレン化物SnGa_2GeSe_6を,高温固相反応により初めて合成した。それは,a=47.195(9)Å,b=7.5213(15)Å,c=12.183(2)Å,およびZ=16のセル次元を有する非中心対称空間群Fd2において結晶化した。SnGa_2GeSe_6の結晶構造は,2つのタイプの無限鎖(すなわち,[GaSe_3]鎖と[M_3Se_7]鎖)の臨界ネットワークにより特徴付けられ,MはGaとGe原子により,SnGa_2GeS_6と類似し,BaのSn原子との置換によりBa類似体から強く発散し,これは立体化学的に活性な孤立電子対電子を含む。注意深い実験研究は,SnGa_2GeSe_6が1.98eVの光学バンドギャップと不一致融解挙動を示すことを明らかにした。さらに,SnGa_2GeSe_6粉末試料の第二高調波発生(SHG)強度は,基本光として2μmレーザを用いた150~200μmの粒子サイズで約1.7×AgGaS_2であった。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 粉体 ,  光学ギャップ ,  第二高調波発生 ,  *スズ ,  *ゲルマニウム ,  バリウム ,  セレン化物 ,  固相反応 ,  *ガリウム ,  *結晶構造 ,  孤立電子対 ,  結晶化 ,  ネットワーク ,  対称性 ,  高温

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： ファミリー ,  結晶構造 ,  非線形 ,  光学性能