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J-GLOBAL ID：201902279445273063   整理番号：19A0527681

抵抗性不揮発性メモリのためのプロセス変動免疫およびエネルギー意識センス増幅器【JST・京大機械翻訳】

Process variation immune and energy aware sense amplifiers for resistive non-volatile memories

著者 (2件)： Salehi Soheil (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Central Florida, Orlando, Florida 32816-2362) ,  DeMara Ronald F. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Central Florida, Orlando, Florida 32816-2362)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン転送トルク磁気ランダムアクセスメモリ(ST-MRAM)を,非揮発性,ほぼゼロの待機エネルギー,および高密度を求める埋め込みおよびデータ記憶応用のためのポストCMOS技術として探求した。実用的な実装のためにこれらの目的を達成するために,ST-MRAM要素に関連する特定の信頼性課題を緩和する種々の技術を調査し,分類し,評価した。同定された信頼性問題に対するいくつかの解決策を,信頼できるST-MRAM設計を実現するために扱った。Sense増幅器(SAs)のプロセス変動免疫をさらに改善する試みにおいて,2つの新しいSAsを導入した:エネルギーウェアセンス増幅器(EASA)と分散免疫Sense Amplifier(VISA)。結果は,EASAとVISAが,最も一般的なSAs,すなわちPCSAとSPCSAの2つと比較して,ほとんどの場合において優れた性能を達成し,一方,ビット誤り率(BER)を低減し,信頼性を増加させることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  トルク ,  *不揮発性メモリ ,  データ蓄積 ,  *増幅器 ,  *センス増幅器 ,  信頼性
準シソーラス用語： ビット誤り率 ,  CMOS技術 ,  高密度 ,  *プロセス変動 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 抵抗性 ,  不揮発性メモリ ,  プロセス変動 ,  免疫 ,  エネルギー ,  意識 ,  センス増幅器