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文献
J-GLOBAL ID:201902279474850161   整理番号:19A1345117

P-193:後期ニュースポスター:湿潤雰囲気中でアニールした低温溶液処理InZnO TFT【JST・京大機械翻訳】

P-193: Late-News Poster: Low Temperature Solution Processed InZnO TFT Annealed in Wet Ambient
著者 (5件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: 1333-1336  発行年: 2019年 
JST資料番号: E0907A  ISSN: 0097-966X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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本研究では,低温湿潤アニーリング雰囲気を利用することにより,溶液処理酸化物薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性を大幅に改善できることを示した。大気アニール素子(~0.74cm~2/Vs)と比較して,移動度のような特性は,湿潤アニール素子(~2.99cm~2/Vs)に対して4倍高かった。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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