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J-GLOBAL ID：201902279635369467   整理番号：19A2686117

プラズマ増強反応プロセスを用いた高移動度a-InGaZnO膜の低温形成

Low-temperature formation of high-mobility a-InGaZnOx films using plasma-enhanced reactive processes

著者 (6件)： TAKENAKA Kosuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ENDO Masashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HIRAYAMA Hiroyuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  UCHIDA Giichiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  EBE Akinori (EMD Corp., Shiga, JPN) ,  SETSUHARA Yuichi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 9  ページ： 090605.1-090605.5  発行年： 2019年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,プラズマ増強反応処理を用いた高移動度a-InGaZnOx(a-IGZO)膜の低温作製を実証する。チャネル層としてこれらのa-IGZO膜を用いたIGZO薄膜トランジスタ(TFT)の性能に及ぼす後処理温度の影響も調べた。200°Cの低い温度でプラズマ処理したa-IGZO膜を組み込んだIGZO TFTは,40cm²V^-1s^-1の高い電界効果移動度を持つ,期待されるTFT移動特性を示した。種々の酸素流量比で蒸着したa-IGZO膜に及ぼすプラズマ処理の影響を評価することにより,大きな基板領域上に均一な特性を示すIGZO TFTの作製を試みた。プラズマ処理前の膜堆積条件に関係なく,プラズマ処理膜を用いたIGZO TFTの電気的性質は劇的に改善されることが分かった。これらの結果は,大きな基板領域上で均一な特性を持つIGZO TFTの製造の実現可能性を確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 移動度 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  特性 ,  後処理 ,  半導体プロセス ,  プラズマ処理 ,  *キャリア移動度 ,  流量
準シソーラス用語： 高移動度 ,  *IGZO【半導体】 ,  デバイス特性 ,  低温プロセス ,  *電界効果移動度 ,  酸素流量

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  増強 ,  反応プロセス ,  高移動度 ,  低温形成