抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
四陽極接合同方向直列型GaAs平面ショットキーダイオードに基づいて、無基板空間合成の220GHz三次周波数逓倍回路を設計し実現した。四本のショットキーダイオードの協同作用により、リッジ導波路の小片の両側に各フリップが2本のショットキーダイオードを溶接し、上下の逆構造を構成する。周波数逓倍回路の周波数逓倍効率を,フィールド結合モードによってシミュレーションした。シミュレーションの結果は,入力電力が300mW,出力周波数が213229GHzのとき,周波数逓倍効率が3%以上であり,Eバンド電力増幅器が3倍周波数回路を駆動し,周波数逓倍器の出力パワーを獲得できることを示した。テストデータにより、駆動パワーが300mWのとき、出力周波数が213229GHzのとき、出力パワーは5dBmより大きく、周波数逓倍効率は1%2%であった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】