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J-GLOBAL ID：201902280092174372   整理番号：19A1530899

バンドギャップ工学のための窒化ホウ素膜に埋め込まれた結晶六方晶系窒化ホウ素ナノドメインの自己秩序配向【JST・京大機械翻訳】

Self-Ordered Orientation of Crystalline Hexagonal Boron Nitride Nanodomains Embedded in Boron Carbonitride Films for Band Gap Engineering

著者 (6件)： Li Yujing ,  Gao Wei ,  Wang Fei ,  Zhao Dehe ,  Zhang Yuyuan ,  Yin Hong
資料名： Coatings (Web)  (Coatings (Web))
巻： 9  号： 3  ページ： 185  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7162A  ISSN： 2079-6412  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広い組成範囲にわたって元素B,C,およびNを含むハイブリッド結合を含むホウ化ホウ素(BCN)膜は,可変バンドギャップを持つ半導体特性のために,豊富な新しい材料,電子構造,特性,および応用を可能にする。しかし,制御可能な組成と良く確立された秩序構造を持つバンドギャップで設計されたBCN三元系を達成することは依然として困難である。ここでは,自己秩序化六方晶BN(h-BN)結晶性ナノドメインから成るハイブリッドBCN材料の合成と特性化について報告する。成長条件に依存して,基板に優先的に垂直な配向した基底面を持つ。異なるバンド吸収の2つのセットの観察は,h-BNナノドメインがBCN膜からそれらの個々のバンドギャップ同一性を回復するために十分に区別されることを示唆する。それはドーピングおよび/または境界効果のためにBCNマトリックス中で炭素含有量が増加すると減少する。著者らの結果は,ハイブリッドBCN膜のこの形の構造的特徴とバンドギャップが速度論的成長因子と強く相関し,光エレクトロニクスにおけるバンドギャップ工学応用の開発における更なる基礎的物理研究と可能性のための大きなシステムになることを明らかにした。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  キャラクタリゼーション ,  ホウ化処理 ,  構造特性 ,  半導体 ,  電子構造 ,  *六方晶系 ,  ドーピング ,  オプトエレクトロニクス ,  結晶度 ,  *窒化ホウ素 ,  速度論 ,  *結晶
準シソーラス用語： 秩序構造 ,  *ナノドメイン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： BCN ,  バンドギャップ工学 ,  六方晶系窒化ホウ素 ,  配向 ,  成長機構 ,  オプトエレクトロニクス

分類 (5件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  製材・加工  (FF05032S) ,  磁性理論  (BM06020X) ,  澱粉  (FJ05030W) ,  ガスタービン  (PB02040Y)

引用文献 (71件)：

• Song, L.; Liu, Z.; Reddy, A.L.; Narayanan, N.T.; Taha-Tijerina, J.; Peng, J.; Gao, G.; Lou, J.; Vajtai, R.; Ajayan, P.M. Binary and ternary atomic layers built from carbon, boron, and nitrogen. Adv. Mater. 2012, 24, 4878-4895.
• Paraknowitsch, J.P.; Thomas, A. Doping carbons beyond nitrogen: an overview of advanced heteroatom doped carbons with boron, sulphur and phosphorus for energy applications. Energy Environ. Sci. 2013, 6, 2839.
• [Green Version] Zeng, Q.; Wang, H.; Fu, W.; Gong, Y.; Zhou, W.; Ajayan, P.M.; Lou, J.; Liu, Z. Band engineering for novel two-dimensional atomic layers. Small 2015, 11, 1868-1884.
• Byon, E.; Son, M.; Lee, K.-H.; Nam, K.-S.; Hara, N.; Sugimoto, K. Electrochemical properties of boron-carbon-nitride films formed by magnetron sputtering. Electrochim. Acta 2006, 51, 2662-2668.
• Zhao, Y.; He, D.W.; Daemen, L.L.; Shen, T.D.; Schwarz, R.B.; Zhu, Y.; Bish, D.L.; Huang, J.; Zhang, J.; Shen, G.; et al. Superhard B-C-N materials synthesized in nanostructured bulks. J. Mater. Res. 2011, 17, 3139-3145.

タイトルに関連する用語 (8件)： バンドギャップ ,  工学 ,  窒化ホウ素 ,  結晶 ,  六方晶系窒化ホウ素 ,  ナノドメイン ,  自己 ,  配向