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J-GLOBAL ID：201902280201837966   整理番号：19A0526801

電気的に駆動されたCMOS互換性2ベースのシリコン変調器【JST・京大機械翻訳】

Electrically driven CMOS CompatibleVO₂-based silicon modulator

著者 (3件)： Janjan Babak (Electrical and computer Engineering Department, Tarbiat Modares, Tehran, Iran) ,  Ahmadi Vahid (Electrical and computer Engineering Department, Tarbiat Modares, Tehran, Iran) ,  Heidari Mohsen (Electrical and computer Engineering Department, Tarbiat Modares, Tehran, Iran)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEE  ページ： 137-140  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si/VO_2/Si導波路を形成する標準シリコン導波路上にVO_2絶縁体-金属相転移材料を挿入することにより,CMOS互換性,コンパクトな電気吸収変調器を示した。Si/SiO_2/Si導波路の吸収係数はVO_2スロット層の位相に強く依存した。VO_2の相を絶縁から金属に電気的に変化させることにより,VO_2の金属化相の非常に高い損失により,光モードは抑制され,電気吸収シリコン変調器の優れた候補を示唆した。3.25Vの駆動電圧で2dBの挿入損失を有する有意な15dBの変調深さを,1μmの長さに沿って50nmのVO_2スロット幅を仮定して,TEモードのために理論的に達成した。また,エネルギー消費はわずか60fJ/ビットである。長さ当たりのより高い変調深ささえ,より高い駆動電圧とエネルギー消費のコストでVO_2スロット層の幅を増加させることによって到達可能である。TM偏光に対するより低い性能を達成できた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 偏光 ,  位相 ,  *互換性 ,  挿入損 ,  *CMOS ,  *ケイ素 ,  吸収係数 ,  メタライゼーション ,  エネルギー消費 ,  導波路 ,  TEモード ,  *変調器 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 変調指数 ,  駆動電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  互換性 ,  シリコン ,  変調器