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J-GLOBAL ID:201902280284496947   整理番号:19A1258955

光起電力応用のためのZnOベース四元系TCO材料の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparison study of ZnO-based quaternary TCO materials for photovoltaic application
著者 (9件):
資料名:
巻: 793  ページ: 499-504  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ZnOは大面積オプトエレクトロニクスデバイス,例えばフラットパネルディスプレイ,発光ダイオード,透明半導体,透明導電性酸化物(TCO)などに対して優れた光学特性のために非常に興味が持たれている。本研究では,光学的および電気的性質を向上させるために,MgおよびIII族元素(例えばAl,GaおよびIn)を用いてソーダ石灰ガラス基板上に四元ZnO薄膜を堆積させた。四元ZnO TCO材料の構造的,光学的,電気的性質を,薄膜太陽電池性能の改善のために調べた。全ての膜はボイドや亀裂のない均一な微細構造を示し,可視領域で75%以上の透過率を有していた。それらは同程度のバンドギャップ差を有する。特に,光学的性質に関しては,MgおよびGa共ドープZnO,MgGaZnO(MGZO)薄膜は可視領域で約90%の透過率で3.87eVの高い光学バンドギャップを示した。さらに,MGZO薄膜は,3.97×10~4Ωcmの最低抵抗率,1.11×10~21cm~3の高キャリア濃度,14.07cm~2V~-1s-1の高移動度および7.39Ω/sqの低シート抵抗を有する改善された電気特性を示した。さらに,MGZO薄膜に対して3.87eVの広いバンドギャップが得られ,MGZO TCO層で作製されたCu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe)光起電力素子の性能は,より高いバンドギャップと優れた電子特性のために改善された。改善された短絡電流は,8.79%の電力変換効率を有するMGZO薄膜を有するデバイスをもたらした。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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