文献
J-GLOBAL ID:201902280309235288   整理番号:19A0098755

高荷電イオンで照射したHOPGのESR測定

ESR Measurements of HOPG Irradiated with Highly Charged Ions
著者 (6件):
資料名:
巻: 16  ページ: 356-359(J-STAGE)  発行年: 2018年 
JST資料番号: U0016A  ISSN: 1348-0391  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電子スピン共鳴(ESR)測定を,高度に荷電したイオン(HCI)を照射した高度に配向した熱分解グラファイト(HOPG)試料について行った。HCIと表面間の相互作用は,可視からX線,数百の二次電子,二次イオンのスパッタリング,およびナノメートルスケールでの表面構造の修飾の範囲で光子の発光をもたらす。本実験では,HCIを電子ビームイオン源(EBIS)により生成し,Ar8+とAr14+を照射に用いた。ESR測定は試料の不対電子に関する情報を提供する。ESRを用いて入射HCIの電荷状態とフルエンスに対する欠陥形成の依存性を調べた。L1線は低温領域でHCIを照射したHOPG試料に現れ,強度は高い電荷状態と高いフルエンスで大きくなった。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
炭素とその化合物  ,  その他の無機化合物のEPR 
引用文献 (14件):
もっと見る
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る