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J-GLOBAL ID：201902280363772177   整理番号：19A1416593

デラフォサイトの電子バンド構造と励起子特性:GW-BSE研究【JST・京大機械翻訳】

Electronic band structures and excitonic properties of delafossites: A GW-BSE study

著者 (3件)： Wang Xiaoming (Department of Physics and Astronomy, and Wright Center for Photovoltaic Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, Ohio 43606, USA) ,  Meng Weiwei (Department of Physics and Astronomy, and Wright Center for Photovoltaic Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, Ohio 43606, USA) ,  Yan Yanfa (Department of Physics and Astronomy, and Wright Center for Photovoltaic Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, Ohio 43606, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 8  ページ： 085104-085104-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最先端のGW-BSE法を用いて計算したデラフォサイトCuMO_2(M=Al,Ga,In,Sc,Y,Cr)のバンド構造と励起子特性を報告した。GW近似,すなわちG_0W_0,GW_0,GW,およびQSGWの自己整合性の異なるレベルをバンド構造について評価し,一般的にGW_0が電子-正孔効果を考慮した実験と良く一致するバンドギャップを予測することを見出した。CuCrO_2については,HSE波動関数を摂動GW_0計算の出発点として用いた。それはPBEによって予測されたバンド次数を補正するからである。CuCrO_2の価電子バンド特性に関する矛盾を,HSEとQSGW計算の両方に基づいて分類した。PBE波動関数は既に良く,他のデラフォサイトにも使用されている。すべてのデラフォサイトは,実験結果と一致して,0.24から0.44eVまで変化する大きな励起子結合エネルギーをもつ間接バンドギャップ半導体であることを示した。励起機構をバンド構造の励起子振幅射影を調べて説明した。実験と比較した不一致についても述べた。最低と最強の励起子は主にCu3d→Cu3p(Al,Ga,In)またはCu3d→M3d(M=Sc,Y,Cr)遷移のいずれかに寄与し,常に菱面体晶Brillouin帯のL点に位置する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  *励起 ,  射影 ,  バンドギャップ ,  *励起子 ,  三方晶系 ,  結合エネルギー ,  価電子バンド ,  半導体 ,  Brillouin帯 ,  *バンド構造 ,  波動関数 ,  摂動
準シソーラス用語： GW近似 ,  *デラフォサイト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： デラフォサイト ,  電子バンド構造 ,  励起子 ,  BSE ,  研究