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J-GLOBAL ID：201902280373420911   整理番号：19A1410143

太陽電池応用のためのCuSbS_2における内殻準位,バンド整列および価電子帯状態【JST・京大機械翻訳】

Core Levels, Band Alignments, and Valence-Band States in CuSbS₂ for Solar Cell Applications

著者 (14件)： Whittles Thomas J. (Stephenson Institute for Renewable Energy and Department of Physics, University of Liverpool, U.K.) ,  Veal Tim D. (Stephenson Institute for Renewable Energy and Department of Physics, University of Liverpool, U.K.) ,  Savory Christopher N. (Department of Chemistry, University College London, U.K.) ,  Savory Christopher N. (Thomas Young Centre, University College London, U.K.) ,  Welch Adam W. (Material Science Center, National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  de Souza Lucas Francisco Willian (Material Science Center, National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Gibbon James T. (Stephenson Institute for Renewable Energy and Department of Physics, University of Liverpool, U.K.) ,  Birkett Max (Stephenson Institute for Renewable Energy and Department of Physics, University of Liverpool, U.K.) ,  Potter Richard J. (Department of Mechanical, Materials and Aerospace Engineering, School of Engineering, University of Liverpool, U.K.) ,  Scanlon David O. (Department of Chemistry, University College London, U.K.) ,  Scanlon David O. (Thomas Young Centre, University College London, U.K.) ,  Scanlon David O. (Diamond Light Source Ltd., U.K.) ,  Zakutayev Andriy (Material Science Center, National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Dhanak Vinod R. (Stephenson Institute for Renewable Energy and Department of Physics, University of Liverpool, U.K.)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 48  ページ： 41916-41926  発行年： 2017年12月06日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 地球に豊富な材料CuSbS_2(CAS)は,光起電力太陽吸収体材料として良好な光学特性を示したが,比較的貧弱な太陽電池性能を示した。この異常の理由を調べるために,成分元素のコア準位,表面汚染物,イオン化ポテンシャル,価電子帯スペクトルをX線光電子分光法により調べた。この材料(4.98と3.43eV)のイオン化ポテンシャルと電子親和性は,CuIn_xGa_(1-x)Se_2(CIGS)を含む他の一般的吸収体のものより低い。実験的に確証された密度汎関数理論(DFT)計算は,CIGS中のインジウムまたはガリウム陽イオンと比較したとき,価電子帯の最大値が付加的な状態に寄与するアンチモン陽イオンからの孤立電子対電子によって上昇することを示した。CdSによる伝導帯の不整合は,CAS/CdSヘテロ接合を組み込んだ電池の性能が悪い理由であり,CIGSに類似したセル設計を用いることが役に立たないという考えを支持する。これらの知見は,開回路電圧とセル効率を最適化するセル構造を選択するとき,電子構造を考慮することの重要な重要性を強調する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化ポテンシャル ,  *太陽 ,  アンチモン ,  ガリウム ,  孤立電子対 ,  伝導バンド ,  *太陽電池 ,  カチオン ,  不整合 ,  *内殻準位 ,  インジウム ,  ヘテロ接合 ,  *価電子バンド ,  最適化
準シソーラス用語： 開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： CUSB2 ,  硫化銅アンチモン ,  XPS ,  DFT ,  薄膜太陽電池 ,  バンドアラインメント ,  状態密度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  応用 ,  内殻準位 ,  バンド整列 ,  価電子帯