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J-GLOBAL ID：201902280379525315   整理番号：19A1183791

CaCu_3Ti_4O_12における誘電定数の温度安定性の起源【JST・京大機械翻訳】

Origin of the temperature stability of dielectric constant in CaCu₃Ti₄O₁₂

著者 (10件)： Luo X.J. (Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai, 200090, PR China) ,  Zhang Y.T. (Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai, 200090, PR China) ,  Xu D.H. (Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai, 200090, PR China) ,  Chen S.S. (Faculty of Mathmatics and Physics, Hubei Polytechnic University, Huangshi, PR China) ,  Wang Y. (Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai, 200090, PR China) ,  Chai Y. (Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai, 200090, PR China) ,  Liu Y.S. (Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai, 200090, PR China) ,  Tang S.L. (Nanjing National Laboratory of Microstructures, Jiangsu Provincial Laboratory for Nanotechnology and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, PR China) ,  Yang C.P. (Faculty of Physics and Electronic Technology, Hubei University, Wuhan, 430062, PR China) ,  Baerner K. (University of Gottingen, F. Hund Platz 1, 37077, Germany)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 45  号： 10  ページ： 12994-13003  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる酸素雰囲気下で焼結したCaCu_3Ti_4O_12試料の誘電定数と損失正接の温度とdcバイアス安定性を検討した。結果は,金属-酸素空孔関連欠陥が伝導(欠陥ドーピング)に対する電荷キャリアを提供するだけでなく,電荷キャリアホッピング下での欠陥双極子再配置の方法における巨大誘電率にも寄与することを示唆した。特定の銅-酸素空格子点欠陥複合体における電荷局在化は,中間温度範囲90K~200K(20Hz)における巨大で安定な誘電率と低誘電損失の理由であり,一方,大きな障壁層高さの実現は,結晶粒界におけるチタン酸素空孔に関連したトラップ電荷による寄与を必要とし,200K~300Kの高温域において二次誘電率安定範囲をもたらす。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バイアス ,  ドーピング ,  焼結 ,  結晶粒界 ,  損失正接 ,  電荷 ,  チタン ,  誘電損失 ,  *誘電率 ,  ホッピング伝導
準シソーラス用語： 局在化 ,  巨大誘電率 ,  再配列 ,  電荷キャリア ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CaCu3Ti4O12 ,  トラップ欠陥 ,  欠陥双極子 ,  酸素空孔

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘電定数 ,  温度安定性 ,  起源