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J-GLOBAL ID：201902280501945852   整理番号：19A1457002

V_2O_5/TiO_2(001)表面上のHClによる水銀酸化の機構に及ぼすWO_3ドーピングの影響:周期的密度汎関数理論研究【JST・京大機械翻訳】

Effect of WO₃ doping on the mechanism of mercury oxidation by HCl over V₂O₅/TiO₂ (001) surface: Periodic density functional theory study

著者 (7件)： Wu Yang-wen (National Engineering Laboratory for Biomass Power Generation Equipment, North China Electric Power University, Beijing 102206, China) ,  Ali Zulfiqar (National Engineering Laboratory for Biomass Power Generation Equipment, North China Electric Power University, Beijing 102206, China) ,  Lu Qiang (National Engineering Laboratory for Biomass Power Generation Equipment, North China Electric Power University, Beijing 102206, China) ,  Liu Ji (National Engineering Laboratory for Biomass Power Generation Equipment, North China Electric Power University, Beijing 102206, China) ,  Xu Ming-xin (National Engineering Laboratory for Biomass Power Generation Equipment, North China Electric Power University, Beijing 102206, China) ,  Zhao Li (National Engineering Laboratory for Biomass Power Generation Equipment, North China Electric Power University, Beijing 102206, China) ,  Yang Yong-ping (National Engineering Laboratory for Biomass Power Generation Equipment, North China Electric Power University, Beijing 102206, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 487  ページ： 369-378  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 商業的バナジウム-チタン系選択的接触還元(SCR)触媒は,石炭燃焼排ガスの脱窒過程における水銀除去のための一定の能力を示す。WO_3はSCR触媒のための重要な添加剤であるが,水銀酸化過程におけるWO_3の役割に関する研究はほとんど報告されていない。本研究では,周期的V_2O_5/TiO_2およびV_2O_5-WO_3/TiO_2スラブモデルを構築した。密度汎関数理論(DFT)計算を適用して,SCR触媒上の水銀除去機構に及ぼすWO_3の影響を探究した。触媒の電子構造に及ぼすWO_3ドーピングの影響を研究した。WO_3ドーピング前後の水銀化学種の吸着配置とエネルギーを計算した。水銀酸化の反応経路とエネルギー障壁をさらに分析した。結果は,WO_3が触媒表面の電荷移動を促進し,反応活性を強化することを示した。触媒表面上のHgとHgClの吸着エネルギーはWO_3ドーピング後に減少し,一方,HgCl_2の吸着エネルギーは増加した。さらに,WO_3ドーピングは,水銀酸化のエネルギー障壁を減少させ,その結果,SCR触媒の水銀除去能力を強化した。バナジウム-チタニア系SCR触媒上の水銀の酸化過程はLangmuir-Hinshelwood機構に従い,以前の理論結果とは異なる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *水銀 ,  吸着エネルギー ,  触媒 ,  *酸化 ,  吸着 ,  *密度汎関数法 ,  脱窒 ,  Langmuir-Hinshelwood機構 ,  反応経路 ,  *ドーピング ,  電荷移動 ,  化学種 ,  反応性
準シソーラス用語： 二酸化チタン ,  エネルギー障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 水銀除去 ,  SCR脱窒素触媒 ,  WO_3 ,  密度汎関数理論

分類 (5件)： 産業排ガス処理  (SC04040S) ,  水銀とその化合物  (SB05023Z) ,  吸着剤  (YB03000W) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： HCl ,  水銀 ,  酸化 ,  ドーピング ,  密度汎関数理論 ,  研究