文献

J-GLOBAL ID：201902280543801099   整理番号：19A1385010

外部歪エンジニアリングを用いたAlGaN/GaN HEMTの駆動電流の改善【JST・京大機械翻訳】

Improving the drive current of AlGaN/GaN HEMT using external strain engineering

著者 (6件)： Cheng Wei-Chih (Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Lei Siqi (Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Li Wenmao (Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Zhao Feng (Washington State University) ,  Chan Mansun (Hong Kong University of Science and Technology) ,  Yu Hongyu (Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： EDTM  ページ： 374-376  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガス(2DEG)の濃度はAlGaN層中に発達した応力によって支配される。本研究では,AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の出力性能を,不動態化層としてストレスをかけたSiN_xを堆積することにより改善し,AlGaN上に印加した外部歪をRaman分光法を用いて測定した。結果として,外部歪により誘起された余分な2DEG濃度により,素子のオン状態抵抗と駆動電流の改善が達成された。また,歪誘起閾値電圧シフトを決定するために,ゲート領域上の応力分布を解析した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二次元電子ガス ,  Raman分光法 ,  応力分布 ,  *HEMT ,  ヘテロ接合 ,  不動態化
準シソーラス用語： 閾値電圧シフト ,  オン状態 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *駆動電流 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪 ,  エンジニアリング ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  駆動電流