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J-GLOBAL ID：201902280814372683   整理番号：19A1414289

強誘電ナノドメイン核の静的負容量【JST・京大機械翻訳】

Static negative capacitance of a ferroelectric nano-domain nucleus

著者 (3件)： Sluka Tomas (Ceramics Laboratory, EPFL-Swiss Federal Institute of Technology, 1015 Lausanne, Switzerland) ,  Mokry Pavel (Regional Centre for Special Optics and Optoelectronic Systems (TOPTEC), Institute of Plasma Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Za Slovankou 1782/3, 182 00 Prague 8, Czech Republic) ,  Setter Nava (Ceramics Laboratory, EPFL-Swiss Federal Institute of Technology, 1015 Lausanne, Switzerland)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 15  ページ： 152902-152902-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の電界効果トランジスタ(FET)の小型化は,トランジスタチャネルの開閉がより高いゲート電圧スイングを必要とし,より高い電力消費と加熱を引き起こす基本的な限界に近づく。この問題はFETゲート電極とチャネルの間に強誘電体層を置くことにより除去でき,ゲート電圧を効果的に増幅した。しかし,バルク強誘電負性コンデンサを用いるオリジナルのアイデアは,静的負性容量を安定化することを可能にしない非可逆的マルチドメイン強誘電スイッチングから生じるが,超格子を有する最近の可逆的溶液はFET上に集積するのが困難である可能性がある。ここでは,ナノドメイン核から静的負の静電容量を提供する解を紹介した。フェーズフィールドシミュレーションにより,この概念のロバスト性,容易に達成可能な小さな実効負容量,およびFET技術を用いたこのような負のナノキャパシタの潜在的に高い適合性を確認した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力消費 ,  強誘電体 ,  FET【トランジスタ】 ,  超格子 ,  不可逆性 ,  トランジスタ ,  適応性 ,  *チャネル ,  静電容量 ,  小型化 ,  コンデンサ
準シソーラス用語： 強誘電スイッチング ,  ネガティブキャパシタンス ,  ゲート電圧 ,  *ナノドメイン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノドメイン ,  核