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J-GLOBAL ID:201902281060270077   整理番号:19A2652295

高三重項σ-π共役ポリ[(ビフェニルIV-A原子(C,Si,Ge,Sn)]背骨の光電子特性【JST・京大機械翻訳】

Optoelectronic Properties of High Triplet σ-π-Conjugated Poly[(biphenyl group IV-A atom (C, Si, Ge, Sn)] Backbones
著者 (6件):
資料名:
巻: 11  号: 40  ページ: 36895-36904  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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主鎖としてビフェニルとX原子からなる一連のσ-π-共役重合体を,側鎖としてX原子に2つのアルコキシ置換ビフェニルをグラフト化した,2つのアルコキシ置換ビフェニルでグラフト化した,それらの光電子特性を系統的に研究した。著者らは,そのフロンティア分子軌道分布が輸送部分でグラフト化された以前に報告されたσ-π共役高分子のそれらに近いので,側鎖としてアルキルよりもビフェニルを選択した。種々のX原子を有するこのσ-π重合体は,Ge>Si>C>Snの順で2.58から2.83eVの範囲の三重項エネルギー(E_T)と,Si>Ge>Sn>Cの順で電荷移動度が著しく異なり,σ-π重合体の性質がそれらのX原子により大きく影響されることを示した。Ge-およびSn-ベースのσ-π-共役重合体は,サイズ効果および(d-p)-π軌道相互作用によって引き起こされたそれらの異なるレベルのπ-電子非局在化のために,それぞれ最高および最低のE_T値を示した。それらの電荷輸送特性に対して,Siベースの共役σ-π高分子は,ビフェニルとSi中の付着炭素原子間のより強いσ-π共役とより短いSi-C結合長のために,最高の正孔と電子移動度を与える。反対に,Cに基づくσ-π共役重合体は,C原子中のd軌道の欠如により最低の電荷移動度を与え,σ-π共役特性が悪くなる。異なるE_Tレベルと電荷輸送特性を有するこれらのσ-π重合体は,それらのエレクトロルミネセンス特性に及ぼす著しい影響を示した。それらの中で,ホストとして用いたときのGeベースのσ-π共役高分子は,より高いE_Tと合理的な電荷移動度のために最良のデバイス性能を示した。これらのσ-π-共役重合体の異なる光電子特性のこのような知見は,電荷輸送部分をグラフト化したσ-π共役高分子ホストを設計するための骨格選択のための有用な指針を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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高分子固体の物理的性質  ,  太陽電池  ,  トランジスタ 
物質索引 (1件):
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