文献
J-GLOBAL ID:201902281142922029   整理番号:19A1252580

熱光起電力電池の温度依存性能に関する比較実験研究【JST・京大機械翻訳】

A comparatively experimental study on the temperature-dependent performance of thermophotovoltaic cells
著者 (7件):
資料名:
巻: 114  号: 19  ページ: 193902-193902-5  発行年: 2019年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
熱光起電力(TPV)システムの出力と効率は,熱源,TPVセル,システム寄生損失,セル冷却サブシステムなどからの放射によって決定される。セルはシステムのコアデバイスであり,セルの性能は,開回路電圧(V_oc),短絡電流密度(I_sc),および最大出力密度(P_m)を含む多くのパラメータによって特徴付けることができる。セル温度はこれらのパラメータに大きな影響を及ぼす。いくつかの論文は,これらのパラメータのセル温度依存性を報告しているが,TPVセルの温度依存性能を実験的に調べ,それらを比較分析した。本研究では,GaSb,GeおよびInGaAsSb電池の基本パラメータが,自家製TPVプロトタイプを用いて,それらの動作温度によりどのように変化するかを調べた。測定データは,セル温度がTPVセルの性能に著しく影響することを示した。セル温度によるこれらのパラメータの変化は種々のTPVセルに対して異なる。GaSb,GeおよびInGaAsSbセルのV_ocおよびP_mは,セル温度の上昇とともに直線的に減少したが,I_scはわずかに増加した。GaSbのP_mのための温度係数の正規化値は,GeとInGaAsSbセルのそれらより低かった。それはGaSbセルがセル温度に比較的敏感でないことを示した。本研究で提供した結果は,セル性能を改善し,TPVシステムを設計するのに有用である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体結晶の電子構造  ,  半導体のルミネセンス  ,  トランジスタ  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る