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J-GLOBAL ID：201902281182730081   整理番号：19A1386431

高出力2.5D ICのパッケージからシステム熱特性化と設計【JST・京大機械翻訳】

From Package to System Thermal Characterization and Design of High Power 2.5-D IC

著者 (6件)： Hung-Hsien Huang (Advanced Semiconductor Engineering (ASE) Inc., Kaohsiung, Taiwan 811, R.O.C.) ,  Tsai Cheng-Yu (Advanced Semiconductor Engineering (ASE) Inc., Kaohsiung, Taiwan 811, R.O.C.) ,  Tsai Jung-Che (Advanced Semiconductor Engineering (ASE) Inc., Kaohsiung, Taiwan 811, R.O.C.) ,  Shih Meng-Kai (Advanced Semiconductor Engineering (ASE) Inc., Kaohsiung, Taiwan 811, R.O.C.) ,  Tang David (Advanced Semiconductor Engineering (ASE) Inc., Kaohsiung, Taiwan 811, R.O.C.) ,  Hung CP (Advanced Semiconductor Engineering (ASE) Inc., Kaohsiung, Taiwan 811, R.O.C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICEP  ページ： 36-41  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2.5-D半導体パッケージは,高い最終応用のための最も一般的なパッケージ構造である。本研究では,2.5-Dパッケージの熱的強化のために,埋め込みヒートパイプの有無にかかわらず,蓋アタッチメント,フィンヒートシンクおよびファン冷却ヒートシンクのようないくつかの熱的解法を,インターポーザ上のマルチチップを有する2.5-D熱試験車両の熱シミュレーションおよび測定解析において考察した。すべての設計は電力消費を最大化するために6Lプリント回路基板に依存する。熱抵抗を最小にするためにパッケージの上部にヒートシンクを取り付けた。陽極酸化アルミニウム押出フィンヒートシンクを低電力条件(12W)に使用し,一方ファン冷却ヒートシンクを60W以上の入力電力に用いて熱蓄積を低減した。興味ある観察は,ヒートパイプの有無にかかわらず,ヒートシンク間の高出力(168W)熱測定における熱増強の有意差がないことである。しかし,熱シミュレーションの結果は,この場合,約8°Cの減少が接合温度で観測されるので,顕著な熱的増強があることを示している。このように,ヒートシンク性能をQ_max測定によって確かめた。さらに,二つの異なる還元体積条件,すなわちボイド分散と体積収縮をシミュレートすることにより,高いパワー熱性能を調べながら,熱界面材料被覆問題を考慮した。結果は,収縮がすべてのシミュレーション条件に対して考慮されるべき主要な因子であることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒートパイプ ,  ヒートシンク ,  シミュレーション ,  *熱特性 ,  熱量測定 ,  電力消費 ,  熱抵抗 ,  送風機 ,  プリント基板 ,  フィン
準シソーラス用語： 接合温度 ,  熱シミュレーション ,  インターポーザ ,  半導体パッケージ ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 熱交換器,冷却器  (PA03020G) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  IC ,  パッケージ ,  熱特性 ,  設計