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文献
J-GLOBAL ID:201902281222090713   整理番号:19A0400353

HfO_2/Si-(サブ)酸化物/Si(110)およびHfSi_2/Si-(サブ)酸化物/Si(110)島上のシリコン(サブ)酸化物の局所価電子状態【JST・京大機械翻訳】

Local valence electronic states of silicon (sub)oxides on HfO2/Si-(sub)oxide/Si(110) and HfSi2/Si-(sub)oxide/Si(110) Islands
著者 (5件):
資料名:
巻: 681  ページ: 9-17  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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低屈折率Si(110)基板上に堆積させたハフニウムのSi~n+亜酸化物成分(n=2,3,4)の局所価電子状態に及ぼす効果をSi-L23VV Auger電子Si~n+-2p光電子同時分光法(Si-L23VV-Si~n+-2p APECS)により調べ,化学状態と安定性を論じた。ハフニウム被覆Si(110)は,ハフニウムがSi酸化のための効果的な触媒として役立つので,直ちにHfO_2とSiO_2に酸化される。したがって,HfO_2/Sin+-(サブ)酸化物/Si(110)[HfO_2/Sin+/Si(110)]構造は容易に形成される(n=1,2,3,および4)。HfO2層からSi(110)基板への酸素拡散は923Kでのアニーリングにより促進された。HfO_2/Sin+/Si(110)表面からの酸素原子脱着は1073Kでのアニーリング後に起こり,HfSi_2島(i-HfSi_2)は部分的に露出したSi(110)-16×2二重ドメイン(DD)表面で形成される。i-HfSi_2はO_2分子に対して低い反応性を示すが,露出したSi(110)-16×2DD表面は直ちに酸化される。ここでは,i-HfSi_2/Sin+-(サブ)酸化物/Si(110)(i-HfSi_2/Si~n+/Si(110))構造を形成した。さらに,HfO_2/Sin+/Si(110)およびi-HfSi_2/Sin+/Si(110)構造(n=2,3,4)におけるSin+のSi-L_23VV-Sin+-2p APECSスペクトルを測定し,Sin+(サブ)酸化物成分の局所価電子状態を評価した。i-HfSi_2/Sin+/Si(110)構造におけるSin+の価電子帯最大(BE_VBM)における結合エネルギーは,HfO_2/Sin+/Si(110)構造(n=2,3,および4)におけるそれと比較して1.5±0.7eVより低い。Si~n+の酸素による最近接と第二近接の局所価電子状態を決定し,Si~n+原子(n=2,3,4)のそれらに影響を与えた。i-HfSi_2/Sin+/Si(110)構造中のSin+原子は,最近接としてハフニウム原子に直接結合し,最も一般的に低イオン原子価状態でSim+原子を持つが,HfO_2/Sin+/Si(110)構造中のSin+原子はこの結合を形成できない。さらに,より低いイオン価電子状態におけるHfケイ化物とSiの存在は,HfO_2/Si(110)構造のバンドギャップを減少させることができた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
物理的手法を用いた吸着の研究  ,  塩  ,  酸化物薄膜  ,  電子分光スペクトル  ,  固-気界面一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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