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J-GLOBAL ID：201902281277495095   整理番号：19A2651939

二次元van der Waals静電ヘテロ構造における調整可能な化学結合【JST・京大機械翻訳】

Tunable Chemical Coupling in Two-Dimensional van der Waals Electrostatic Heterostructures

著者 (16件)： Taniguchi Takaaki (World Premier International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science(NIMS), Ibaraki, Japan) ,  Li Shisheng (World Premier International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science(NIMS), Ibaraki, Japan) ,  Nurdiwijayanto Leanddas (World Premier International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science(NIMS), Ibaraki, Japan) ,  Kobayashi Yu (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan) ,  Saito Tetsuki (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan) ,  Miyata Yasumitsu (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan) ,  Obata Seiji (Department of Complexity Science and Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo, Chiba, Japan) ,  Saiki Koichiro (Department of Complexity Science and Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo, Chiba, Japan) ,  Yokoi Hiroyuki (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Japan) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science(NIMS), Ibaraki, Japan) ,  Taniguchi Takashi (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science(NIMS), Ibaraki, Japan) ,  Tsukagoshi Kazuhito (World Premier International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science(NIMS), Ibaraki, Japan) ,  Ebina Yasuo (World Premier International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science(NIMS), Ibaraki, Japan) ,  Sasaki Takayoshi (World Premier International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science(NIMS), Ibaraki, Japan) ,  Osada Minoru (World Premier International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science(NIMS), Ibaraki, Japan) ,  Osada Minoru (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Japan)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 13  号： 10  ページ： 11214-11223  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)原子結晶のヘテロ構造は,明確な単分子層を垂直ヘテロ構造に統合することにより,新しい物理現象と機能性材料に対する魅力的な分子スケール設計要素を提供し,異なる性質間の結合を与えることができる。しかし,利用可能な例は,それぞれ非帯電および帯電単分子層のみから成るvan der Waals(vdW)または静電(ES)ヘテロ構造のいずれかに限られている。ここでは,非常に異なる化学的および物理的性質をもつ電荷中性および荷電単分子層構築ブロックを非対称的に荷電した界面を通して垂直に共役させる「vdW-ESヘテロ構造」化学設計を提案した。両親媒性分子澱粉を用いた半導性MoS_2と誘電Ca_2Nb_3O_10-(CNO)単分子層のvdW-ESヘテロ集合を実証し,おそらくvdW-ES二重相互作用により与えられた界面閉込め効果により,MoS_2関連材料間の最低エネルギーで観察されるトリオンルミネセンスの出現をもたらした。さらに,界面エンジニアリングは,顕著な誘電近接効果によりvdW/ESヘテロ構造の調整された励起子をもたらし,2D材料を修飾するための興味ある中間層化学をもたらす。さらに,本アプローチを成功裏に拡張してグラフェン/CNOヘテロ構造を作製し,それにより調製方法の汎用性を検証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 近接効果 ,  共役 ,  グラフェン ,  非対称性 ,  相互作用 ,  *二次元 ,  半導性 ,  励起子 ,  単分子層 ,  ルミネセンス ,  電荷 ,  界面 ,  帯電 ,  結晶
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： ナノシート ,  二次元材料 ,  ヘテロ構造 ,  界面 ,  金属酸化物 ,  MOS_2 ,  グラフェン

分類 (4件)： 励起子  (BM02120E) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： VAN ,  ヘテロ構造 ,  化学結合