ヘテロ原子価ドーピングにおけるサイト選択を調べるための走査型トンネル分光法  事例研究としての(III)S_2中のZn(II)ドープCu(I)【JST・京大機械翻訳】

Kundu Biswajit; Pal Amlan J.

文献

J-GLOBAL ID：201902281588831758 整理番号：19A1416514

ヘテロ原子価ドーピングにおけるサイト選択を調べるための走査型トンネル分光法事例研究としての(III)S_2中のZn(II)ドープCu(I)【JST・京大機械翻訳】

Scanning tunneling spectroscopy to probe site-selection in heterovalent doping: Zn(II)-doped Cu(I)In(III)S₂ as a case study

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資料名：
巻： 122 号： 6 ページ： 065109-065109-6 発行年： 2017年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ヘテロ価ドープ三元化合物半導体とそれらの二元対応物の走査トンネル分光法(STS)を報告した。Fermiエネルギーのシフトをもたらす半導体中のドーパントの効果は,状態密度(DOS)スペクトルで明らかになることが分かった。このシフトはヘテロ原子価ドーパントが誘起するドーピングの性質とドーパントが占有する三元系のサイトを誘起する。例えば,Zn(II)ドープCu(I)In(III)S_2による本事例では,DOSスペクトルは伝導帯に向かうFermiエネルギーのシフトと電子の導入によるn型ドーピングを示した。このようなシフトは二価ドーパントが銅サイトを占めていると推測した。結果を,ドープした二成分,すなわち,Cu_2SとIn_2S_3のSTS研究,およびFermiエネルギーのシフトによって実証した。Fermiエネルギーの調整により,非ドープとドープ半導体間のホモ接合は,接合を通して電流整流をもたらす界面でのタイプIIバンド配列を持つ。STSを通して形成されたホモ接合のバンドダイアグラムは接合における電流整流の方向を実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体の格子欠陥 , 酸化物薄膜 , 半導体結晶の電子構造 , その他の無機化合物の電気伝導

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ヘテロ原子価ドーピングにおけるサイト選択を調べるための走査型トンネル分光法 事例研究としての(III)S_2中のZn(II)ドープCu(I)【JST・京大機械翻訳】

ヘテロ原子価ドーピングにおけるサイト選択を調べるための走査型トンネル分光法事例研究としての(III)S_2中のZn(II)ドープCu(I)【JST・京大機械翻訳】