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J-GLOBAL ID：201902281589472537   整理番号：19A2563856

単一CdTe量子ドットにおける表面トラップ状態のプラズモンに基づく抑制とバンド端放出速度の増強【JST・京大機械翻訳】

Plasmon Based Suppression of Surface Trap States and Enhanced Band-Edge Emission Rate in a Single CdTe Quantum Dot

著者 (5件)： Flatae Assegid M. (Laboratory of Nano-Optics and Cμ, University of Siegen, 57072 Siegen, Germany) ,  Tantussi Francesco (Istituto Italiano di Tecnologia, 16163 Genova, Italy) ,  Messina Gabriele C. (Istituto Italiano di Tecnologia, 16163 Genova, Italy) ,  De Angelis Francesco (Istituto Italiano di Tecnologia, 16163 Genova, Italy) ,  Agio Mario (Laboratory of Nano-Optics and Cμ, University of Siegen, 57072 Siegen, Germany; National Institute of Optics (INO), National Research Council (CNR), 50125 Florence, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コロイド状量子ドット(QD)は,それらのサイズ調整可能な電子的および光学的性質を有する汎用の光ルミネセンスおよびオプトエレクトロニクス材料として開発されている。しかし,QDの発光は,蛍光間欠性を示し,また,オン/オフ結合,Auger再結合および表面トラップとして知られている。コロイド合成または環境相互作用の間のQD表面修飾は,しばしば,放射および非放射電荷再結合を通してバンド端状態(励起子状態)の数およびエネルギーを減少させる表面または界面トラップ状態を生成する。表面トラップ状態を最小化するために,Auger再結合と結合を減少させるために,QDは配位子またはシェルによって典型的に被覆される。より厚いシェルまたはコア-シェルQDを有するQDは,バンド端発光の改善された光ルミネセンス量子収率を示すことが知られている。しかし,より厚いシェルはコア励起状態を分離し,異なるタイプの応用(例えば太陽電池,発光素子,レーザ,量子フォトニック素子など)に必要な励起子状態とフォトニック環境の間の近接場相互作用を減少させる。したがって,表面トラップ状態が抑制された裸のコアQDは,より少ない蛍光間欠性をもつ増強されたバンド端状態発光が不可欠である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コアシェル構造 ,  太陽電池 ,  コロイド ,  相互作用 ,  励起子 ,  近接場 ,  *量子ドット ,  蛍光 ,  *プラズモン ,  光ルミネセンス ,  オプトエレクトロニクス ,  発光 ,  レーザ
準シソーラス用語： Auger再結合 ,  *バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： CdTe量子ドット ,  トラップ ,  プラズモン ,  バンド端 ,  放出速度 ,  増強