a-Al_2O_3/MOS_2の界面特性の第一原理計算と二軸歪の影響【JST・京大機械翻訳】

Shi Li-Bin; Li Ming-Biao; Xiu Xiao-Ming; Liu Xu-Yang; Zhang Kai-Cheng; Liu Yu-Hui; Li Chun-Ran; Dong Hai-Kuan

文献

J-GLOBAL ID：201902281618242256 整理番号：19A1415378

a-Al_2O_3/MOS_2の界面特性の第一原理計算と二軸歪の影響【JST・京大機械翻訳】

First principles calculations of the interface properties of a-Al₂O₃/MoS₂ and effects of biaxial strain

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資料名：
巻： 121 号： 20 ページ： 205305-205305-8 発行年： 2017年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

非晶質Al_2O_3(a-Al_2O_3)/MoS_2界面はその独特の特性のために多くの注目を引き付けている。本研究では,非歪および二軸歪下での界面挙動を,密度汎関数理論に基づく第一原理計算により調べた。まず,a-Al_2O_3試料の生成過程を分子動力学により記述した。a-Al_2O_3の計算されたバンドギャップは,一般化勾配近似-Perdew,BurkeおよびErnzerhofに対して3.66eVであり,Heyd-Scuseria-Ernzerhof汎関数に対して5.26eVであった。次に,a-Al_2O_3/MoS_2界面に対するバンド配列の詳細な記述を与えた。価電子帯オフセットと伝導帯オフセットはMoS_2層の数とともに変化した。MoS_2層の数が増加するにつれて,MoS_2の価電子帯最大値(VBM)が上方に移動することが注目される。金属/a-Al_2O_3/MoS_2MOSの漏れ電流も例示した。最後に,-6%から6%の範囲の二軸歪下の単層MoS_2のバンド構造を検討し,バンドオフセットに及ぼす二軸歪の影響を調べた。単層MoS_2のVBMは,歪が圧縮から引張に変化するにつれて下方に移動する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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酸化物薄膜 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般

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