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J-GLOBAL ID：201902281621647821   整理番号：19A2652412

3つの安定な抵抗状態を持つグラフェン-ホウ素ニトリド-グラフェン交差点メモリスタ【JST・京大機械翻訳】

Graphene-Boron Nitride-Graphene Cross-Point Memristors with Three Stable Resistive States

著者 (13件)： Zhu Kaichen (Institute of Functional Nano & Soft Materials, Collaborative Innovation Center for Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, China) ,  Zhu Kaichen (Departament d’Enginyeria Electronica i Biomedica, Universitat de Barcelona, Spain) ,  Liang Xianhu (Institute of Functional Nano & Soft Materials, Collaborative Innovation Center for Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, China) ,  Yuan Bin (Institute of Functional Nano & Soft Materials, Collaborative Innovation Center for Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, China) ,  Villena Marco A. (Institute of Functional Nano & Soft Materials, Collaborative Innovation Center for Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, China) ,  Wen Chao (Institute of Functional Nano & Soft Materials, Collaborative Innovation Center for Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, China) ,  Wang Tao (Institute of Functional Nano & Soft Materials, Collaborative Innovation Center for Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, China) ,  Chen Shaochuan (Institute of Functional Nano & Soft Materials, Collaborative Innovation Center for Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, China) ,  Hui Fei (Department of Materials Science and Engineering, Guangdong Technion-Israel Institute of Technology, China) ,  Hui Fei (Department of Materials Science and Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Israel) ,  Shi Yuanyuan (Department of Materials Science and Engineering, Guangdong Technion-Israel Institute of Technology, China) ,  Shi Yuanyuan (Department of Materials Science and Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Israel) ,  Lanza Mario (Institute of Functional Nano & Soft Materials, Collaborative Innovation Center for Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 11  号： 41  ページ： 37999-38005  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料に基づくメムリスタは,高い透明性,ロバストな機械的強度と柔軟性,超高い化学的安定性,増強した熱放熱,超低電力消費,バイポーラと閾値抵抗スイッチングの共存,および超安定緩和のようないくつかの特性を示した。しかし,高密度情報貯蔵のための多重安定抵抗状態の発生のようなメムリスティブ応用においてしばしば必要とされるいくつかの電気的性能はまだ実証されていない。ここでは,3つの安定で識別可能な抵抗状態を示す最初の2D材料ベースのメムリスタを示した。多層グラフェン(G)電極に挟まれた多層六方晶窒化ホウ素(h-BN)スタックを用いて,電流制限(CL)と使用したリセット電圧に依存して,各二つまたは三つの抵抗状態間でスイッチできる5μm×5μm交差点Au/Ti//h-BN/G/Auメムリスタを作製した。グラフェン電極と小さな交差点構造の使用は,同じAu/Ti/G/h-BN/G/Au構造を持つより大きな(100μm×100μm)デバイスでは観察されなかった,またはグラフェン界面層のない類似の小さい(5μm×5μm)デバイスで観察されなかった三状態動作を観察するための重要な要素である。基本的に,高抵抗状態と低抵抗状態(LRS)の間の中間状態を生成し,ソフトLRS(S-LRS)と名付けた。これは,グラフェンが金属侵入を制限する能力(低CLで)のため,h-BNを横切る狭い導電性ナノフィラメントの形成に関連している可能性がある。すべての2D材料は,機械的に剥離した2D材料を用いた他の研究と比較して,拡張可能な化学蒸着法を用いて作製した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多重化 ,  スイッチ ,  *窒化物 ,  柔軟性 ,  *グラフェン ,  緩和現象 ,  二次元 ,  熱放射 ,  導電性 ,  化学蒸着 ,  ロバスト性 ,  多層
準シソーラス用語： ナノフィラメント ,  超低消費電力 ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： メムリスタ ,  2D材料 ,  多状態 ,  導電性フィラメント ,  六方晶系窒化ホウ素

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  ホウ素 ,  ニトリド ,  交差点 ,  メモリスタ