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J-GLOBAL ID:201902281686077727   整理番号:19A1415934

Au/Co/MgOトンネル接触による黒リン系電界効果トランジスタの電気輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Electrical transport properties of black phosphorus based field-effect transistor with Au/Co/MgO tunneling contacts
著者 (7件):
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巻: 122  号: 16  ページ: 164301-164301-6  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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黒色リン(BP)は最近有望な二次元直接バンドギャップ半導体材料として出現した。ここでは,Au/Co/MgOをドレインとし,ソーストンネリングコンタクトとして,黒色リン系電界効果トランジスタの作製と電気輸送測定を報告する。バックゲート電圧を変調することにより,多層ブラックりんチャネルは両極性特性(n型とp型)を示し,伝導挙動は正孔から電子支配輸送領域に切り替えることができる。正孔支配領域において,著者らは,BP上のAu/Co/MgO接触に対して,37meVのSchottky障壁高さの最小値を測定した。さらに,トランジスタON/OFF(I_on/I_off)比は,20Kで10~7,300Kで10~5の大きさで得られた。バンド構造と両極性挙動の変調を理解するために,温度とバックゲート電圧依存伝導特性の系統的研究を行った。Au/Co/MgOトンネル接触を用いることによる高いオン/オフ比と低いSchottky障壁高さの実証は,多層ブラックりん電界効果トランジスタを用いたスピントロニクス応用の有望な可能性を明らかにした。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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金属-絶縁体-金属構造 

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