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J-GLOBAL ID：201902281793257491   整理番号：19A1555175

複合材料構造設計によるMgO系セラミックにおける超高絶縁破壊強度の達成【JST・京大機械翻訳】

Achieving ultrahigh dielectric breakdown strength in MgO-based ceramics by composite structure design

著者 (8件)： Zhang Chi (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 588 Heshuo Road, Jiading District, Shanghai 201800, People’s Republic of China. [e-mail] [e-mail]) ,  Chen Ying ,  Zhou Mingxing ,  Li Xin ,  Wang Lei ,  Xia Liansheng ,  Shen Yi ,  Dong Xianlin
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 7  号： 26  ページ： 8120-8130  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高絶縁破壊強度(DBS)を有する電子材料とデバイスの追求,および絶縁破壊機構の解明は,科学研究と産業応用にとって非常に重要である。多数の材料系の中で,MgOは,その単純な結晶構造と広いバンドギャップにより,好ましい物理的性質と共に大きな可能性を有するが,高温での焼結挙動は,高いDBSに対する障害であり,その破壊機構は研究されていない。これらの概念に基づいて,単純な(1-x)MgO-xAl_2O_3誘電体セラミックを設計し,固相反応法により調製し,0-3複合構造を得た。超高DBSは,126.4kVmm-1(厚さ0.5mm,直径8mm)の0.92MgO-0.08Al_2O_3で達成され,これはバルクセラミックで報告された最高値である。系統的な研究は,DBSの改良が電気的破壊モデルから熱破壊モデルへの変換に起因することを示している。これは,微細構造の進展,機械的性質の向上,および関連する熱的性質によって説明できる。一方,複素インピーダンス分光測定は,MgOへのAl_2O_3の導入が明らかに抵抗率と活性化エネルギーを強化することができることを明らかにして,それはDBSを強化するためにも有益であった。さらに重要なことに,本研究は新しいMgOベースのセラミックのための新しい研究と応用分野(高電圧装置と電子デバイス応用のような)を開くだけでなく,DBSを強化するための構造設計の本質的な機構について系統的に説明する。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微細構造 ,  *絶縁破壊 ,  複合構造 ,  電気抵抗率 ,  固相反応 ,  高温 ,  *セラミック ,  *構造設計 ,  *複合材料 ,  アルミニウム ,  *酸化マグネシウム ,  *絶縁耐力 ,  焼結 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 複素インピーダンス ,  破壊機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 複合材料 ,  構造設計 ,  MgO ,  セラミック ,  絶縁破壊強度