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J-GLOBAL ID：201902281804956874   整理番号：19A1559156

サブバンドギャップ時間分解テラヘルツ分光法によるシリコンのキャリア移動度と伝導異方性【JST・京大機械翻訳】

Carrier Mobility and Conduction Anisotropy of Silicon by Sub-Bandgap Time-Resolved Terahertz Spectroscopy

著者 (3件)： Magnanelli Timothy J. (Nanoscale Device Characterization Division (NDCD), National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD, 20899, USA) ,  Wahlstrand Jared K. (Nanoscale Device Characterization Division (NDCD), National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD, 20899, USA) ,  Heilweil Edwin J. (Nanoscale Device Characterization Division (NDCD), National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD, 20899, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CLEO  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低密度電荷移動度,シリコンの二光子光励起を時間分解テラヘルツ分光法を用いて調べ,高移動度値と方向性伝導異方性を従来のHallと単一光励起計量と対比した。(C)2019。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 指向性 ,  光ポンピング ,  *キャリア移動度 ,  *ケイ素 ,  *異方性
準シソーラス用語： 高移動度 ,  二光子 ,  低密度 ,  *テラヘルツ分光法 ,  *サブバンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： サブバンドギャップ ,  分解 ,  テラヘルツ分光法 ,  シリコン ,  キャリア移動度 ,  伝導 ,  異方性