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J-GLOBAL ID：201902281828497521   整理番号：19A1406930

誘導CdSナノウォールからのボトムアップ3ゲートトランジスタとサブマイクロ秒光検出器【JST・京大機械翻訳】

Bottom-Up Tri-gate Transistors and Submicrosecond Photodetectors from Guided CdS Nanowalls

著者 (5件)： Xu Jinyou (Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science) ,  Oksenberg Eitan (Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science) ,  Popovitz-Biro Ronit (Chemical Research Support, Weizmann Institute of Science) ,  Rechav Katya (Chemical Research Support, Weizmann Institute of Science) ,  Joselevich Ernesto (Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 139  号： 44  ページ： 15958-15967  発行年： 2017年11月08日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三ゲートトランジスタは,半導体ナノウォール(またはフィン)の二つの側面からチャネル上に付加的ゲート制御を行うことにより,平面トランジスタよりも良好な性能を提供する。ここでは,水平接触蒸気-液体-固体成長と垂直ファセット選択的非触媒気相成長の同時組合せによる整列CdSナノ壁のボトムアップ集合と,成長後の移動または整列ステップなしのウエハスケール(cm~2)での三ゲートトランジスタと光検出器へのそれらの並列集積について報告した。これらのトリゲートトランジスタは,平面増強モードCdSトランジスタで報告されている最良の結果よりも10~8桁高いオン/オフ電流比をもつ増強モードトランジスタとして作用する。光検出器の応答時間はサブマイクロ秒レベルに減少し,ボトムアップ半導体ナノ構造で作られた光検出器で報告された最良の結果よりも1桁短い。ガイドされた半導体ナノウォールは,ボトムアップから組み立てられた高性能3Dナノデバイスの新しい機会を開いた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  チャネル ,  電流 ,  触媒 ,  ファセット ,  フィン ,  *トランジスタ ,  *光検出器 ,  三次元 ,  アラインメント ,  *硫化カドミウム
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  ナノ壁 ,  *ボトムアップ ,  *ナノウォール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 誘導 ,  CdS ,  ナノウォール ,  ボトムアップ ,  ゲート ,  トランジスタ ,  サブ ,  マイクロ秒 ,  光検出器