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J-GLOBAL ID：201902281920793124   整理番号：19A2618104

単層HfS_2における固有構造欠陥による増強されたオプトエレクトロニクスおよび熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Optoelectronic and Thermoelectric Properties by Intrinsic Structural Defects in Monolayer HfS₂

著者 (3件)： Singh Deobrat (Condensed Matter Theory Group, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Sweden) ,  Ahuja Rajeev (Condensed Matter Theory Group, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Sweden) ,  Ahuja Rajeev (Applied Materials Physics, Department of Materials and Engineering, Royal Institute of Technology (KTH), Sweden)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 2  号： 9  ページ： 6891-6903  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,第一原理計算を用いて,純粋なHFS_2の単層と二つのタイプの空孔および二つのタイプのドーパントの電子的,光学的および熱電的性質を研究した。硫黄原子の代わりに単一原子空孔(HfとS原子)と単一原子ドーパントを持つこれらの配置はエネルギー的により有利である。HFS_2単分子層の電子特性は,ドーパントと同様に空格子点によって著しく影響される。また,それは間接バンドギャップ半導体挙動を直接バンドギャップ半導体挙動に変換し,構造欠陥の間に半導体から金属への転移が起こる。空孔によるHFS_2単分子層の仕事関数の変化とドーパントは伝導率の変化を示した。光吸収を増強する構造欠陥とそれのHFS_2単分子層とH相の伝導率はUV光吸収に適しているが,T相は可視光吸収に適している。熱電特性から,比較的高いSeebeck係数とそれは,室温で,T相と元のH相におけるドープP原子に対して,それぞれ2867と2902μV K-1であることが分かった。300Kでの性能指数(ZT)は,T相では1,H相では1.05と決定され,一方,高温では,T相でのHf空格子点ではZT=1.23であった。このような解析は,構造欠陥が電子特性に大きく影響するだけでなく,熱電特性を調節し,ZTを増強する効率的な方法としても使用できることを明らかにした。理論結果は,二次元HFS_2単分子層が高性能オプトエレクトロニックおよび熱電素子において非常に有用であることを示唆した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *オプトエレクトロニクス ,  *ハフニウム ,  半導体 ,  ドーパント ,  単分子層 ,  可視光 ,  高温 ,  光吸収 ,  二次元 ,  ドーピング ,  計算
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  単一原子 ,  第一原理計算 ,  *熱電特性 ,  *構造欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HFS_2単層 ,  空格子点とドーピング欠陥 ,  電子および光学特性 ,  熱電特性 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  固有 ,  構造欠陥 ,  増強 ,  オプトエレクトロニクス ,  熱電特性