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J-GLOBAL ID：201902281954701418   整理番号：19A2855737

Ptフリー色素増感太陽電池用の持続可能な対向電極としての階層的NiO@NiS@グラフェンナノ複合材料【JST・京大機械翻訳】

Hierarchical NiO@NiS@graphene nanocomposite as a sustainable counter electrode for Pt free dye-sensitized solar cell

著者 (13件)： Silambarasan K. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Archana J. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Athithya S. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Harish S. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Harish S. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Sankar Ganesh R. (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Navaneethan M. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Navaneethan M. (Nanotechnology Research Centre (NRC), Faculty of Engineering and Technology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Ponnusamy S. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Muthamizhchelvan C. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Hara K. (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Hara K. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Hayakawa Y. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 501  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DSSCにおける最近の研究は,高い触媒特性だけでなく,高い電力変換効率を有する低コスト材料による対向電極(CE)の開発に集中している。NiOは,その広いバンドギャップのために,DSSCにおける高い短絡電流のためのCEとして研究されてきた。本研究では,ニッケルoxide@ニッケルsulfide@グラフェン(NiO@NiS@G)ナノ複合材料を水熱法により合成した。NiO@NiS@Gナノ複合材料の構造組成をX線回折(XRD)により明らかにし,NiO@NiS@Gナノ複合材料の形成を確認した。Raman分光法は炭素系材料の分析に最も有効な手段である。RamanスペクトルのDバンドとGバンドはグラフェン酸化物(GO)からグラフェン(G)の変換を確認した。X線光電子分光法(XPS)は組成中にNi,O,CおよびS原子の存在を示した。形態解析は,グラフェンシートの表面に固定されたNiO@NiSナノプレートの形成を明らかにした。合成したままの材料を,スプレーコート技術によりFTO(フッ素ドープ酸化スズ)基板上に被覆し,それらの触媒特性を研究した。NiO@NiS@Gナノ複合材料(391mV)の電気化学的活性(ピーク分離Epp)はNiO@NiS(496mV)と比較して高く,NiO@NiSと比較して優れた安定性を示した。さらに,市販のPt,NiO@NiS@GおよびNiO@NiSの電荷移動抵抗を,電気化学インピーダンス分光法(EIS)により測定し,それぞれ15.7,23.2および36.8Ωの抵抗値を得た。NiO@NiS@Gを有する太陽電池の効率は2.10%であり,NiO@NiS(1.68%)と比較して高い。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 炭素材 ,  ナノ複合材料 ,  *太陽電池 ,  X線光電子分光法 ,  バンドギャップ ,  電気化学 ,  Ramanスペクトル ,  電気化学インピーダンス ,  X線回折 ,  水熱合成 ,  短絡電流 ,  Raman分光法 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ナノプレート ,  Dバンド ,  *対極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： NiO@NiS@G ,  ナノプレート ,  対極 ,  書記 ,  電気化学的活性

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pt ,  色素増感太陽電池 ,  対向電極 ,  グラフェン ,  ナノ複合材料