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J-GLOBAL ID:201902281969982936   整理番号:19A0919416

第3高調波同調回路を用いたXバンドGaN電力増幅器MMIC【JST・京大機械翻訳】

X-Band GaN Power Amplifier MMIC with a Third Harmonic-Tuned Circuit
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 103  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7178A  ISSN: 2079-9292  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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本論文は,WIN半導体の0.25μm GaN HEMTプロセスを用いて,面積当たりのより高い電力密度とより高い電力付加効率(PAE)のための第3高調波同調回路を有するXバンドGaN HEMT電力増幅器を提示した。基本および第3高調波周波数における最適負荷インピーダンスを,ドレイン-ソース容量および直列ドレインインダクタンスを含むトランジスタの外部平面における負荷-プルシミュレーションから抽出した。第3高調波同調回路は,全出力整合回路を複雑にすることなく,基本周波数で出力整合回路と効果的に統合される。入力整合回路は,良好なリターン損失と簡単なLC低域回路構成を可能にする損失整合方式を使用する。作製した電力増幅器モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)は13.26mm2の面積を占め,20dB以上の線形利得,43.2~44.7dBmの飽和出力,8.5~10.5GHzで35~37%のPAEを示した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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増幅回路 
引用文献 (17件):
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