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J-GLOBAL ID：201902282069152884   整理番号：19A1577474

ナノ結晶ダイヤモンド基板上のβ-Ga_2O_3MOSFETにおける還元自己加熱のシミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Simulation study of reduced self-heating in β-Ga₂O₃ MOSFET on a nano-crystalline diamond substrate

著者 (3件)： Oh J. (School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul 06938, South Korea) ,  Ma J. (School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul 06938, South Korea) ,  Yoo G. (School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul 06938, South Korea)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 13  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,β-酸化ガリウム(β-Ga_2O_3)のヘテロエピタキシャル基板としてナノ結晶ダイヤモンド(NCD)を提案し,物理ベースのTCADシミュレーションを用いて,天然Ga_2O_3および他の代替基板(SiC)と比較してNCD上のβ-Ga_2O_3MOSFETにおける自己加熱効果を調べた。高い熱伝導率を持つNCD基板はβ-Ga_2O_3の格子温度を低下させ,ドレイン電流劣化を緩和する。さらに,この利点はデバイススケーリングによってより顕著になった。これらの結果は,低コストNCDがβ-Ga_2O_3デバイス応用のための有望なヘテロエピタキシャル基板であることを示唆している。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  熱伝導率 ,  *シミュレーション
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  格子温度 ,  TCAD ,  *自己加熱 ,  *ナノダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 核融合装置  (BJ02083Z) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  放射線遮蔽  (MB04000R) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ結晶 ,  ダイヤモンド基板 ,  還元 ,  自己加熱 ,  シミュレーション ,  研究