文献

J-GLOBAL ID：201902282237935451   整理番号：19A1305630

エピタキシャルBa_0.6La_0.4TiO_3-δ薄膜の酸素空孔媒介伝導率と電荷輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Oxygen vacancy mediated conductivity and charge transport properties of epitaxial Ba_0.6La_0.4TiO_{3- δ} thin films

著者 (12件)： Li Qiang (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zhang Aihua (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Gao Dong (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Guo Min (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Feng Jiajun (Laboratory of Solid State Microstructures and Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 21009, China) ,  Zeng Min (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Fan Zhen (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Chen Deyang (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Gao Xingsen (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zhou Guofu (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics and National Center for International Research on Green Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Lu Xubing (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Liu J.-M. (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials and Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 20  ページ： 202902-202902-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルBa_0.6La_0.4TiO_3_δ(BLTO)膜の微細構造,伝導率,および電荷輸送機構に関する酸素空孔(V_O)の効果について報告する。V_O濃度は,膜堆積中の酸素圧(P_O2)を変化させることにより,21.5%から37.8%まで大きく調節できた。抵抗温度とHall効果の測定により,BLTO膜は絶縁体から半導体へ,またV_O濃度を制御することにより金属導体にも著しく調整できることを実証した。電荷輸送機構におけるV_O濃度の役割を明らかにした。低いV_O濃度の膜では,電荷輸送は低温で可変範囲ホッピング(VRH)により支配され,高温では小さなポーラロン(SP)ホッピングを示した。高いV_O濃度の膜では,キャリア輸送は低温ではVRHのままであるが,中程度の温度ではSPホッピングに変化し,高温での熱フォノン散乱により支配される。さらに,より高いV_O濃度を有する膜のSPホッピングのより低い開始温度は,V_Oが電子-フォノン結合を好むことを示した。異なる電荷輸送機構は,BLTO膜における異なるV_O誘起欠陥エネルギー準位に起因すると仮定され,それらの軟X線吸収分光法結果により検証された。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  ホッピング伝導 ,  高温 ,  半導体 ,  低温 ,  *エピタクシー ,  *薄膜 ,  導体 ,  微細構造 ,  軟X線
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  小さなポーラロン ,  *電荷輸送 ,  *伝導率 ,  *酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  酸素空孔 ,  伝導率 ,  電荷 ,  輸送特性