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J-GLOBAL ID：201902282429478609   整理番号：19A0181841

CdSe量子ドットと二重壁ナノチューブ間の電荷移動を研究するための個々のナノチューブデバイスの電気特性の利用【JST・京大機械翻訳】

Utilizing Electrical Characteristics of Individual Nanotube Devices to Study the Charge Transfer between CdSe Quantum Dots and Double-Walled Nanotubes

著者 (6件)： Zhu Yuqi (Department of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, Indiana, United States) ,  Zhou Ruiping (Department of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, Indiana, United States) ,  Wang Lei (Department of Chemistry, State University of New York at Stony Brook, New York, United States) ,  Wong Stanislaus S. (Department of Chemistry, State University of New York at Stony Brook, New York, United States) ,  Wong Stanislaus S. (Condensed Matter Physics and Materials Science Division, Brookhaven National Laboratory, New York, United States) ,  Appenzeller Joerg (Department of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, Indiana, United States)
資料名： ACS Energy Letters  (ACS Energy Letters)
巻： 2  号： 3  ページ： 717-725  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5040A  ISSN： 2380-8195  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化カドミウム(CdSe)量子ドット(QD)と二重壁ナノチューブ(DWNTs)の間の電荷移動を研究するために,様々なサイズのCdSe-配位子-DWNT構造を合成し,同一のネットワークよりもむしろ個々の機能化DWNTsからの電界効果トランジスタを作製した。電気測定から,QD系からナノチューブへの二つの異なる電子移動機構を同定した。CdSe-配位子-DWNTヘテロ構造の形成により,ナノチューブと比較してCdSeの仕事関数が小さくなるため,効果的にn-ドープしたナノチューブが生成した。さらに,QD-DWNT系をレーザ光に曝露すると,QDから配位子,特に4-メルカプトフェノール(MTH)への電子移動が起こり,QDサイズに依存する明確なトンネリング過程が観測された。大規模なデバイスの詳細な解析とここで用いた特別な方法論は,電気測定により初めて評価される波長と量子ドットサイズ依存電荷移動効率を初めて抽出することを可能にした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *二重壁 ,  セレン化カドミウム ,  仕事関数 ,  *量子ドット ,  *ナノチューブ ,  波長 ,  レーザビーム ,  電気測定 ,  *電荷移動 ,  ネットワーク ,  FET【トランジスタ】 ,  電子移動 ,  *電気特性 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： CdSe量子ドット ,  二重壁 ,  ナノチューブ ,  電荷移動 ,  研究 ,  ナノチューブデバイス ,  電気特性