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J-GLOBAL ID：201902282497802906   整理番号：19A1421677

垂直磁気異方性を持つサブ100nm CoFeB-MgOトンネル接合におけるMoキャッピングの効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Mo capping in sub-100 nm CoFeB-MgO tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy

著者 (8件)： Bapna Mukund (Physics Department, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, United States) ,  Parks Brad (Physics Department, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, United States) ,  Oberdick Samuel (Physics Department, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, United States) ,  Almasi Hamid (Physics Department, University of Arizona, Tuscon, AZ, United States) ,  Sun Congli (Materials Science and Engineering Department, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI, United States) ,  Voyles Paul (Materials Science and Engineering Department, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI, United States) ,  Wang Weigang (Physics Department, University of Arizona, Tuscon, AZ, United States) ,  Majetich Sara A. (Physics Department, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, United States)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 483  ページ： 34-41  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Moシードとキャッピング層を有するCO_20Fe_60B_20/MgO/Co_20Fe_60B_20垂直磁気トンネル接合をサブ100nm直径デバイスにパターン化した。得られたデバイスを走査型電子顕微鏡と走査型透過型電子顕微鏡による断面観察により計画的に画像化した。トンネル磁気抵抗は~125%であった。保磁力は35nm以下に低下し,浮遊磁場は直径の減少と共に増加した。全てのサイズに対して電圧制御磁気異方性効果が観察されたが,それはより小さい直径に対して熱的および漂遊場効果により畳み込まれた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気異方性 ,  走査電子顕微鏡 ,  *垂直磁気異方性 ,  磁場 ,  保磁力 ,  *モリブデン ,  電圧制御 ,  *トンネル接合 ,  浮遊 ,  走査 ,  パターン形成 ,  *酸化マグネシウム ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗 ,  磁気トンネル接合 ,  キャップ層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 磁気トンネル接合 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  垂直磁気異方性

分類 (3件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直磁気異方性 ,  サブ ,  MgO ,  トンネル接合 ,  Mo ,  キャッピング