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J-GLOBAL ID：201902282588989972   整理番号：19A2270794

SiC MOSFETベース絶縁双方向デュアルアクティブブリッジDC-DCコンバータの電力損失評価【JST・京大機械翻訳】

Power Loss Evaluation for SiC MOSFET-Based Isolated Bidirectional Dual Active Bridge DC-DC Converter

著者 (2件)： Wang Qian (School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Lu Shuai (School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICIEA  ページ： 2457-2462  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 効率は,パワーエレクトロニクスコンバータの性能を評価する最も重要なパラメータの1つである。本論文では,二重アクティブブリッジコンバータに基づく炭化ケイ素MOSFETのための電力損失評価モデルを提案した。このモデルにおいて,炭化ケイ素MOSFETの電力損失とそのフリーホイールの炭化ケイ素Schottkyダイオードの両方を考慮し,特に,シリコン-炭化物MOSFETのスイッチング時間を正確に計算し,スイッチング損失を推定した。電力損失評価モデルを検証するために,10kW二重アクティブブリッジプロトタイプを設計し,理論的定量的電力損失評価結果と比較するために,異なる動作点の下で試験した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング損失 ,  パワーエレクトロニクス ,  モデル ,  炭化物 ,  *変換器 ,  *MOSFET ,  炭化ケイ素 ,  *電力 ,  Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： スイッチング時間 ,  評価モデル ,  *電力損失 ,  SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  MOSFET ,  絶縁 ,  双方向 ,  DC-DCコンバータ ,  電力損失 ,  評価