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J-GLOBAL ID：201902282807058838   整理番号：19A2451682

改善された熱電性能の温度窓を広げるためのCu_2Sの相転移工学【JST・京大機械翻訳】

Phase Transition Engineering of Cu₂S to Widen the Temperature Window of Improved Thermoelectric Performance

著者 (3件)： Liang Xin (School of Materials Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou, Jiangsu, 213164, China) ,  Jin Dou (School of Materials Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou, Jiangsu, 213164, China) ,  Dai Feihu (School of Materials Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou, Jiangsu, 213164, China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 5  号： 10  ページ： e1900486  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2S化合物は,環境に優しく,地球に豊富な化学成分を有する有望な熱電(TE)候補材料である。一連の相転移は温度と共に起こるが,高温安定化立方構造(α-Cu_2S)のみが望ましいTE特性を示す。本研究において,Mn,Zn,Ga,およびGeとCuサイトを合金化することによって,β-α-Cu_2S相転移および熱電輸送特性に及ぼす著しい影響を観察した。相転移温度(T_c)と相変化エンタルピー(ΔH)はドーピングと共に減少した。Cu_1.95Mn_0.03Sに対して,T_cは約156K減少した。相転移の臨界点近傍のSeebeck異常も消失した。電気伝導率は,正孔濃度が大きく増加したため,ドープ試料に対して著しく改善された。元のCu_2Sと比較して,ピークTE力率は実質的に増強された(≒272%)だけでなく,500~823Kに対する平均ZTは,低温でのα-Cu_2Sの安定化により,高度に改善された(≒145%)。本研究は,高TE特性の温度領域を拡大するための手掛かりを提供し,それは種々の多形熱電化合物に対して実用的に有用である。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *相転移 ,  低温 ,  転移温度 ,  ドーピング ,  エンタルピー ,  地球 ,  力率 ,  臨界点 ,  電気伝導率 ,  合金化 ,  ゲルマニウム ,  高温
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 硫化銅 ,  相転移 ,  セebeck係数 ,  熱伝導率 ,  熱電材料

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窓 ,  相転移 ,  工学