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J-GLOBAL ID：201902282856798929   整理番号：19A2690901

単層六方晶系窒化ホウ素における窒素リッチ端の直接イメージングとそのバンド構造調整【JST・京大機械翻訳】

Direct imaging of the nitrogen-rich edge in monolayer hexagonal boron nitride and its band structure tuning

著者 (10件)： Liu Peizhi (Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Tian Huifeng ,  Windl Wolfgang ,  Gu Gong ,  Duscher Gerd ,  Wu Yucheng ,  Zhao Min ,  Guo Junjie ,  Xu Bingshe ,  Liu Lei
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 11  号： 43  ページ： 20676-20684  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エッジ原子の同定と個々の原子のスケールでの二次元(2D)結晶のエッジ構造進化の追跡は,外部磁場刺激に対するエッジ支配特性と挙動応答を理解するために重要である。ここでは,単分子層六方晶窒化ホウ素(h-BN)のエッジ配置の直接イメージングを,収差補正透過型電子顕微鏡を用いて原子スケールで実証した。エッジ原子の追跡は,窒素終端ジグザグ配列がエッジに沿って支配し,この領域で窒素リッチ(Nリッチ)特性を自然にもたらすが,h-BN単分子層の化学量論的内部は維持されることを明らかにした。トップダウン作製とボトムアップ成長の両方を提案し,サイズが25nmの閾値に減少したとき,1%以上のNリッチ比をもつ新しいh-BNフレークを得た。さらに,密度汎関数理論計算により,Nリッチ特性により約3eVの新しいバンドギャップが形成され,h-BNが自己ドーピングによりn型半導体に変態することを明らかにした。結果は,可視光に対する光応答関数を有する興味ある二次元電子デバイスにおいて使用される超小型h-BN島の開発のために呼ばれる。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フレーク ,  電子顕微鏡観察 ,  単分子層 ,  *画像処理 ,  収差補正 ,  *単一層 ,  二次元 ,  可視光 ,  外部磁場 ,  *窒素 ,  透過型電子顕微鏡 ,  結晶 ,  折れ線 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 超小型 ,  ボトムアップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  六方晶系窒化ホウ素 ,  窒素 ,  イメージング ,  バンド構造