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J-GLOBAL ID：201902282875808300   整理番号：19A1414223

TiO_2不動態化光触媒の電気化学的調整による表面再結合の防止【JST・京大機械翻訳】

Prevention of surface recombination by electrochemical tuning of TiO₂-passivated photocatalysts

著者 (6件)： Hou Bingya (Department of Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, California 90089, USA) ,  Rezaeifar Fatemeh (Department of Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, California 90089, USA) ,  Qiu Jing (Department of Material Science, University of Southern California, Los Angeles, California 90089, USA) ,  Zeng Guangtong (Department of Chemistry, University of Southern California, Los Angeles, California 90089, USA) ,  Kapadia Rehan (Department of Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, California 90089, USA) ,  Cronin Stephen B. (Department of Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, California 90089, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 14  ページ： 141603-141603-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン液体溶液中の電気化学ポテンシャルの関数として,TiO_2-不動態化GaAsの光ルミネセンス(PL)分光法の系統的研究を示した。印加電位による蓄積から枯渇へのGaAs遷移としてのPL強度の7X増加を観測した。これは,電気化学二重層とTiO_2の高い静電容量によって可能にされる表面Fermi準位の優れた制御に起因する。これにより,表面キャリア濃度と対応する非放射再結合速度を制御できる。光ルミネセンス(PL)分光法に加えて,これらの試料の容量ポテンシャル(すなわち,C-V)特性も測定し,光ルミネセンス測定で観測されたイオン蓄積のこれらの領域と一致する平坦なバンドポテンシャルを示した。また,これらのC-V特性の静電シミュレーションを行い,半導体の表面における伝導と価電子帯分布と電荷分布の詳細で定量的な描像を提供した。また,これらのシミュレーションにより,半導体表面が枯渇,反転,および自由キャリアの蓄積を経験する電位の範囲を決定することができる。これらのシミュレーションに基づいて,Shockley-Read-Hall再結合速度を計算し,電圧の関数としてPL強度をモデル化した。この方法は実験データを良く説明できることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  ヒ化ガリウム ,  モデリング ,  Fermi準位 ,  光ルミネセンス ,  シミュレーション ,  *不動態化 ,  半導体 ,  静電容量 ,  価電子バンド ,  *電気化学 ,  電位
準シソーラス用語： 再結合速度 ,  非放射再結合 ,  二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不動態化 ,  光触媒 ,  電気化学 ,  表面再結合