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J-GLOBAL ID：201902282945567429   整理番号：19A1482448

2端子横スピンバルブにおけるHanleスピン歳差運動【JST・京大機械翻訳】

Hanle spin precession in a two-terminal lateral spin valve

著者 (7件)： Spiesser A. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Fujita Y. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Saito H. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yamada S. (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka 560-8531, Japan) ,  Hamaya K. (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka 560-8531, Japan) ,  Yuasa S. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Jansen R. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 24  ページ： 242401-242401-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンチャネルと二つの強磁性トンネル接触(Fe/MgO)から成る二端子(2T)デバイスにおけるHanleスピン歳差によるスピン電圧を観測し説明した。2T Hanle信号は,一つの電極から他の電極へのスピン輸送による寄与だけでなく,Si中のスピン蓄積からの局所的寄与も含み,別々に二つの接触の各々において検出された。その結果,2T Hanle信号の顕著な特徴は非局所素子のそれらと異なり,Hanleとスピンバルブ信号の間のよく知られた対応は存在しない。2T Hanle信号への局所的および輸送的寄与は,非局所的なHanle信号としてのデバイスパラメータの同じセットにより,もつれ,記述できる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  酸化マグネシウム ,  強磁性 ,  *ケイ素 ,  電圧
準シソーラス用語： スピン蓄積 ,  スピン輸送 ,  *スピン歳差 ,  *スピンバルブ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： スピンバルブ ,  スピン歳差運動