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J-GLOBAL ID：201902283099683986   整理番号：19A1376581

窒素暴露した半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面機能変化

著者 (4件)： 佐藤大樹 (名大 院) ,  西谷智博 (名大 IMaSS) ,  本田善央 (名大 IMaSS) ,  天野浩 (名大 IMaSS)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12a-W834-5  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 負性電子親和力(NEA)状態の表面を持つ半導体フォトカソードは、パルス構造の電子ビームを用いた電子顕微鏡などへの応用開発が進んでいる[1]。また、励起エネルギーを半導体のバンドギャップ(Eg)すれすれにすることで、発生する電子のエネルギー分...【本文一部表示】

シソーラス用語： *光電陰極 ,  *半導体 ,  熱処理 ,  *表面処理 ,  窒化ガリウム ,  ヒ化ガリウム ,  *量子効率 ,  窒素 ,  曝露 ,  マグネシウム ,  ドーピング ,  電子親和力
準シソーラス用語： *フォトカソード ,  *表面機能 ,  GaN ,  GaAs ,  負電子親和力

分類 (2件)： 光電子放出  (BM09030D) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素 ,  暴露 ,  フォトカソード ,  加熱処理 ,  表面機能